[发明专利]芯片封装结构及封装方法

说明书

本发明涉及的一种芯片封装结构及封装方法，包括芯片及背金层，所述芯片包括相对设置的芯片第一表面与芯片第二表面，所述背金层覆盖所述芯片第二表面，且所述背金层包括靠近所述芯片的背金层第一表面及远离所述芯片的背金层第二表面，所述背金层内开设有至少一个开口槽，所述开口槽在朝向所述芯片的方向上贯穿所述背金层，且至少部分所述开口槽的位置正对所述芯片第二表面。上述芯片封装结构可解决目前芯片封装结构中在热胀冷缩作用下背金层会对芯片产生不良应力破坏的问题。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及封装方法。

背景技术

目前，在半导体封装技术领域中，为适应芯片与封装器件的散热需求，一般在芯片背面沉积金属来形成背金层，背金层可由多层金属叠合形成，以有效减小芯片的热阻并提高芯片散热效率。

由于背金层的热膨胀系数不同于芯片，在热胀冷缩作用下两者产生的形变也不相同，因而热胀冷缩作用下背金层会对芯片产生较大的应力作用，从而可能对芯片产生应力破坏。而随着半导体芯片尺寸的不断增大，这种应力破坏也愈加严重。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片封装结构，以解决目前芯片封装结构中在热胀冷缩作用下背金层会对芯片产生不良应力破坏的问题。

为了实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种芯片封装结构，包括芯片及背金层，所述芯片包括相对设置的芯片第一表面与芯片第二表面，所述背金层覆盖所述芯片第二表面，且所述背金层包括靠近所述芯片的背金层第一表面及远离所述芯片的背金层第二表面，所述背金层内开设有至少一个开口槽，所述开口槽在朝向所述芯片的方向上贯穿所述背金层，且至少部分所述开口槽的位置正对所述芯片第二表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述背金层内开设有两个或多个开口槽，所述两个或多个开口槽以所述背金层第二表面的中心成中心对称分布。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述背金层内开设有四个开口槽，所述四个开口槽位于所述背金层的两个中轴线上以构成十字形图案。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述背金层内开设有四个开口槽，所述四个开口槽位于所述背金层的两个对角线上以构成X字形图案。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述四个开口槽均为两个侧边平行两个端部呈弧形的环形开口槽。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述环形开口槽一端端部在所述背金层第二表面的边沿形成开口。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述环形开口槽的最大宽度不超过2mm。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述芯片第二表面与所述背金层第一表面之间还设有高分子散热介电膜或带填料的高分子复合材料层。

本发明一实施方式还提供一种芯片封装方法，包括步骤：将背金层覆盖于芯片第二表面，使得背金层第一表面靠近芯片而背金层第二表面远离所述芯片；在背金层第二表面进行激光切割以形成至少一个开口槽，使得所述开口槽在朝向所述芯片的方向上贯穿所述背金层且至少部分所述开口槽的位置正对芯片第二表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：在所述芯片第二表面形成高分子散热介电膜或带填料的高分子复合材料层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：将高温减薄支持膜或高温临时键合载板覆盖于所述芯片第一表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：对所述背金层第二表面进行等离子清洗。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：在芯片第二表面设有背金层，在背金层内开设贯穿背金层的开口槽，至少部分开口槽的位置正对芯片第二表面，从而可极大地缓解热胀冷缩作用下背金层对芯片的不良应力破坏。

附图说明