[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置，一方面，本发明通过半色调掩膜工艺将含有第二扫描信号走线的第三金属层设置于所述像素电极上，由此可以减少光罩数量，从而节约生产成本；另一方面，本发明避免了将第二扫描信号走线设置在栅极下方时需设置的缓冲层，由此更加节约生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来，并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机，借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。

大尺寸、窄边框显示面板是目前显示行业的热门技术。目前，有多种方法可以实现窄边框，目前最主流的是GOA技术，即将扫描驱动IC集成到array基板上。但GOA电路对TFT器件迁移率和阈值电压均匀性的要求远高于像素区的驱动管和开关管，因而在市面上很少有搭载Oxide TFT GOA技术的窄边框面板。另外一种实现窄边框的方法是将扫描线引至面板底部，从而节省了面板两侧空间，这种方法制程要求非常简单，仅需额外增加一层金属布线，是实现窄边框技术最快捷的方法。

常用的Oxide TFT结构包括BCE(背沟道刻蚀工艺)型、ESL(刻蚀阻挡层工艺)型、顶栅自对准型。其中，BCE型器件稳定性很差，应用范围有限；顶栅自对准型Oxide TFT虽然具有源漏寄生电阻小、寄生电容小、应力稳定性好等优点，但其工艺难度很大，且a-IGZO的源漏导体化均匀性较差，在大尺寸面板上TFT的开态电流发散性很大。ESL型Oxide TFT在三种结构中工艺最成熟、器件均匀性最好，因此采用ESL型Oxide TFT制作非GOA型窄边框显示面板是最简单可行的方法。但是传统的ESL Oxide TFT非GOA型窄边框具有光罩次数多，生产成本高等缺点。因此，需要寻求一种新型的阵列基板已解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其能够解决现有技术中存在的光罩次数多，生产成本高等缺点。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其中包括：基板、第一金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、第二金属层、钝化层、像素电极以及第三金属层。其中所述第一金属层包括设置于所述基板上的第一扫描信号走线和栅极；所述栅极绝缘层设置于所述第一金属层上；所述有源层设置于所述栅极绝缘层上；所述蚀刻阻挡层设置于所述有源层上；所述第二金属层包括设置于所述蚀刻阻挡层上的源极、漏极以及连接于所述漏极上的数据信号走线；所述源极和漏极通过第一通孔连接于所述有源层上；所述钝化层设置于所述第二金属层上；所述像素电极包括设置于所述钝化层上的第一像素电极和第二像素电极；所述第一像素电极通过第二通孔连接于所述第一扫描信号走线上；所述第二像素电极层通过第三通孔连接于所述源极上；所述第三金属层包括设置于所述第一像素电极上的第二扫描信号走线。

进一步的，其中所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的组成材料包括Mo、Al、Ti、Cu中的一种或多种。

进一步的，其中所述栅极绝缘层、蚀刻阻挡层以及钝化层的组成材料包括SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种。

进一步的，其中所述有源层的组成材料包括IGZO、IZO、IZTO中的一种或多种。