[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，其包括设置于所述基板上的第一扫描信号走线和栅极；

栅极绝缘层，其设置于所述第一金属层上；

有源层，其设置于所述栅极绝缘层上；

蚀刻阻挡层，其设置于所述有源层上；

第二金属层，其包括设置于所述蚀刻阻挡层上的源极、漏极以及连接于所述漏极上的数据信号走线；

所述源极和漏极通过第一通孔连接于所述有源层上；

钝化层，其设置于所述第二金属层上；

像素电极，其包括设置于所述钝化层上的第一像素电极和第二像素电极；

所述第一像素电极通过第二通孔连接于所述第一扫描信号走线上；所述第二像素电极层通过第三通孔连接于所述源极上；

第三金属层，其包括设置于所述第一像素电极上的第二扫描信号走线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层的组成材料包括Mo、Al、Ti、Cu中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层、蚀刻阻挡层以及钝化层的组成材料包括SiO2、SiNx、Al2O3中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的组成材料包括IGZO、IZO、IZTO中的一种或多种。

5.一种权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，提供基板；

步骤S2，在所述基板上制备第一金属层，并将其图案化形成第一扫描信号走线以及栅极；

步骤S3，在所述第一金属层上制备栅极绝缘层；

步骤S4，在所述栅极绝缘层上制备有源层；

步骤S5，在所述有源层上制备蚀刻阻挡层；

步骤S6，在所述蚀刻阻挡层上制备第二金属层，并将其图案化形成源极、漏极以及连接于所述漏极上的数据信号走线；其中所述源极和漏极通过第一通孔连接于所述有源层上；

步骤S7，在所述第二金属层上制备钝化层；

步骤S8，在所述钝化层上制备像素电极和第三金属层，其中所述像素电极包括通过第二通孔连接于第一扫描信号走线的第一像素电极以及通过第三通孔连接于所述源极的第二像素电极；所述第三金属层包括设置于所述第一像素电极上的第二扫描信号走线。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S3中的栅极绝缘层通过等离子体增强化学气相沉积法或溅射制备形成。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S5中的蚀刻阻挡层通过等离子体增强化学气相沉积法或溅射制备形成。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S7中的钝化层通过等离子体增强化学气相沉积法或溅射制备形成。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述步骤S8中所述像素电极和第三金属层通过半色调掩膜工艺制备形成。

10.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板，所述显示面板包括权利要求1-4任意一项所述的阵列基板。