[发明专利]一种HEMT低噪声放大器旁路结构

说明书

本发明公开了一种HEMT低噪声放大器旁路结构，射频输入端通过所述隔直电容连接至所述第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接至所述第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极通过所述隔直电容C₂连接至射频输出端；第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极均通过栅电阻连接偏置电压；所述反相器的输入端连接偏置电压，反相器的输出端通过栅电阻R_G连接所述第三晶体管的栅极，第三晶体管的源极通过所述隔直电容C₃连接至地，第三晶体管的漏极连接所述隔直电容C₄的一端，隔直电容的另一端通过所述电阻连接至地；本发明可以实现高隔离高线性的旁路电路，完成射频信号放大和射频信号旁路双功能。

技术领域

本发明涉及无线通信的射频低噪声放大器电路，具体涉及一种HEMT低噪声放大器旁路结构。

背景技术

当今，无线通信技术正在不断发展和扩大，作用和需求也越来越大。低噪声放大器(Low noise amplifier,LNA)是无线射频接收机前端的关键部件，在蜂窝移动通信应用中，需要满足低噪声、高线性度、合适的增益和无条件稳定性等关键要求。而Wi-Fi技术作为蜂窝移动通信的补充，可以进行多接入和切入的功能，非常适合应用于室内无线局域网的场合。

面向Wi-Fi应用的低噪声放大器，天线接收的信号强度变化范围非常大。当输入信号过大时容易导致低噪声放大器产生增益压缩和严重的谐波失真，恶化接收灵敏度，严重的话甚至损坏接收机后续的组件。对信号质量的特殊要求对该类低噪声放大器提出了新的要求，在信号强度较大时允许将放大器关断，使得信号从其他通道旁路，以保证射频接收机的正常工作。

发明内容

本发明的目的是提供一种HEMT低噪声放大器旁路结构，用于实现高隔离高线性的旁路电路，完成射频信号放大和射频信号旁路双功能。

为了实现上述任务，本发明采用以下技术方案：

一种HEMT低噪声放大器旁路结构，包括隔直电容C₁、隔直电容C₂、隔直电容C₃、隔直电容C₄、电阻R₁、第一晶体管M₁、第二晶体管M₂、第三晶体管M₃和反相器，其中：

射频输入端RF_in通过所述隔直电容C₁连接至所述第一晶体管M₁的漏极，第一晶体管M₁的源极连接至所述第二晶体管M₂的漏极，第二晶体管M₂的源极通过所述隔直电容C₂连接至射频输出端RF_out；第一晶体管M₁的栅极、第二晶体管M₂的栅极均通过栅电阻R_G连接偏置电压V_BP；

所述反相器的输入端连接偏置电压V_BP，反相器的输出端通过栅电阻R_G连接所述第三晶体管M₃的栅极，第三晶体管M₃的源极通过所述隔直电容C₃连接至地，第三晶体管M₃的漏极连接所述隔直电容C₄的一端以及第一晶体管M₁的源极、第二晶体管M₂的漏极，隔直电容C₄的另一端通过所述电阻R₁连接至地；

所述的第一晶体管M₁的漏极和源极之间、第二晶体管M₂的漏极和源极之间、第三晶体管M3的漏极和源极之间均设置有漏源电阻RDS。

典型地，R₁的值小于10欧姆。

进一步地，所述的HEMT低噪声放大器旁路结构并联于低噪声放大器两端。