[发明专利]一种HEMT低噪声放大器旁路结构

权利要求书

1.一种HEMT低噪声放大器旁路结构，包括隔直电容C₁、隔直电容C₂、隔直电容C₃、隔直电容C₄、电阻R₁、第一晶体管M₁、第二晶体管M₂、第三晶体管M₃和反相器，其中：

射频输入端RF_in通过所述隔直电容C₁连接至所述第一晶体管M₁的漏极，第一晶体管M₁的源极连接至所述第二晶体管M₂的漏极，第二晶体管M₂的源极通过所述隔直电容C₂连接至射频输出端RF_out；第一晶体管M₁的栅极、第二晶体管M₂的栅极均通过栅电阻R_G连接偏置电压V_BP；

所述反相器的输入端连接偏置电压V_BP，反相器的输出端通过栅电阻R_G连接所述第三晶体管M₃的栅极，第三晶体管M₃的源极通过所述隔直电容C₃连接至地，第三晶体管M₃的漏极连接所述隔直电容C₄的一端以及第一晶体管M₁的源极、第二晶体管M₂的漏极，隔直电容C₄的另一端通过所述电阻R₁连接至地；

所述的第一晶体管M₁的漏极和源极之间、第二晶体管M₂的漏极和源极之间、第三晶体管M₃的漏极和源极之间均设置有漏源电阻R_DS；

所述的偏置电压V_BP为高电位时，低噪声放大器处于旁路模式，旁路电路中的第一晶体管M₁和第二晶体管M₂处于接通状态，分别等效成导通电阻R_on1和R_on2，第三晶体管M₃处于关断状态，等效成关断电容C_off3；此时低噪声放大器被旁路，射频信号从输入端RF_in经R_on1和R_on2至输出端RF_out。

2.如权利要求1所述的HEMT低噪声放大器旁路结构，其特征在于，所述的HEMT低噪声放大器旁路结构并联于低噪声放大器两端。

3.如权利要求1所述的HEMT低噪声放大器旁路结构，其特征在于，R₁的值小于10欧姆。

4.如权利要求1所述的HEMT低噪声放大器旁路结构，其特征在于，所述的偏置电压V_BP为低电位时，低噪声放大器处于放大模式，旁路电路中的第一晶体管M₁和第二晶体管M₂处于关断状态，分别等效成关断电容C_off1和C_off2，第三晶体管M₃处于接通状态，等效成导通电阻R_on3；射频信号进入放大器的输入端，流经旁路电路的泄漏信号会经旁路电路的并联支路流到地。