[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910870896.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110931482A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 许峻豪;柯宇骏;梁育彰;赖高廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，包括：
多个半导体鳍状物，凸出一基板；
多个介电鳍状物，凸出该基板且位于所述半导体鳍状物之间，所述介电鳍状物包括一第一介电材料层、位于该第一介电材料层上的一第二介电材料层、以及位于该第二介电材料层上的一第三介电材料层，其中，该第一介电材料层与该第二介电材料层的组成不同，且该第一介电材料层与该第三介电材料层的组成相同；以及
多个栅极堆叠，位于所述半导体鳍状物与所述介电鳍状物上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
