[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底第一区域的第一阱区上形成第一栅叠层，所述第一阱区为第一掺杂类型；

采用光刻胶掩膜遮挡所述衬底的第二区域中的至少部分，以及采用所述第一栅叠层作为硬掩膜，在所述第一阱区中形成第二掺杂类型的第一源区和第一漏区，以及在所述衬底第二区域中形成第二掺杂类型的第一掺杂区；以及

去除所述光刻胶掩膜，进行普注以在所述第二区域的第二阱区中形成第一掺杂类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区沿所述第二阱区向外延伸与所述第一掺杂区接触以形成PN结构，所述第二阱区为第一掺杂类型，

其中，在形成所述第二掺杂区的步骤中，所述第一源区和第一漏区以及所述第一掺杂区的所述第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂，且所述第一源区和第一漏区以及所述第一掺杂区的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述第一源区和第一漏区以及所述第一掺杂区的所述第二掺杂类型的掺杂剂的掺杂剂量比形成所述第二掺杂区的所述第一掺杂类型的掺杂剂的掺杂剂量高，以使得所述第一源区和第一漏区形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一栅叠层的过程中，在所述衬底的第三区域的第三阱区上形成第二栅叠层，所述第三阱区为第二掺杂类型，所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域之间相互并列分布，所述第三阱区分别与所述第一阱区和所述第二阱区相邻；

在形成所述第二掺杂区的过程中，在所述第三阱区中形成第一掺杂类型的第二源区和第二漏区，以及在所述第二阱区中形成第一掺杂类型的沟道区。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，在形成所述第一源区和第一漏区、所述第二源区和第二漏区、以及所述PN结构之后，还包括：

在所述第一栅叠层和所述第二栅叠层上形成层间介质层；

形成贯穿所述层间介质层并至少分别到达所述第一源区和第一漏区、所述第二源区和第二漏区、第一掺杂区以及沟道区的多个通道孔；以及

采用导电材料填充所述多个通道孔以形成多个导电通道。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在形成导电通道之后，所述第一源区和第一漏区中由所述通道孔暴露并与所述导电通道接触的部分作为第一源欧姆接触区和第一漏欧姆接触区，所述第一掺杂区中由所述通道孔暴露并与所述导电通道接触的部分作为第一掺杂接触区。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，在形成所述通道孔和所述导电通道的步骤之间，还包括：

采用所述多个通道孔作为注入通道，注入第一掺杂类型的掺杂剂，在所述第三阱区中形成第二源欧姆接触区和第二漏欧姆接触区以及在所述衬底的第二阱区中形成沟道接触区，

所述第一源区、第一漏区、第一掺杂区的所述第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂，且所述第一源区、第一漏区、第一掺杂区经由所述通道孔暴露的作为第一源欧姆接触区、第一漏欧姆接触区、以及第一掺杂接触区的一部分区域的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述第一栅叠层和所述第二栅叠层分别包括栅极导体和栅介质，所述栅介质位于所述栅极导体和所述衬底之间，所述栅极导体为多晶硅层，所述半导体器件中的栅极导体的等效掺杂剂为第一掺杂类型或者第二掺杂类型。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，在形成所述第一栅叠层、第二栅叠层的过程中，所述栅极导体为第二掺杂类型的多晶硅；

在形成所述第二掺杂区的过程中，所述栅极导体中的第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂；

所述多个通道孔包括贯穿所述层间介质层到达所述栅极导体的至少一个通道孔，

在形成所述第二源欧姆接触区和第二漏欧姆接触区以及沟道接触区的步骤中，所述栅极导体的所述第二掺杂类型的掺杂剂复合所述第一掺杂类型的掺杂剂，且所述栅极导体的等效掺杂剂维持为第二掺杂类型。