[发明专利]一种黑色热熔胶带及其制备工艺和应用

说明书

本发明涉及一种黑色热熔胶带及其制备工艺和应用，该黑色热熔胶带包括离型层和胶膜层；离型层上表面涂覆胶膜层，胶膜包括以下重量份组分：聚酰胺树脂67～74、聚氨酯树脂6～9、增粘树脂4～6、导热填料0.3～0.7、触变剂5～9、抗氧化剂0.4～0.6、炭黑7～13；其制备工艺包括如下步骤：S1、将聚酰胺树脂、聚氨酯树脂与炭黑进行挤出共混；S2、再将S1中添加炭黑的聚酰胺、聚氨酯共混改性胶粒与增粘树脂、导热填料、触变剂、抗氧化剂进行挤出共混；S3、将共混后胶粒进行加热熔融涂布，熔融胶膜涂布在离型纸上，在水冷却辊上冷却干燥，得到黑色热熔胶带。本发明胶带能有效降低激光穿透能量，保护芯片。

技术领域

本发明涉及胶粘材料技术领域，具体涉及一种黑色热熔胶带及其制备工艺和应用。

背景技术

目前国内用于双界面银行卡、手机SIM卡、普通接触式IC卡的生产工艺中，均采用透明的热熔胶膜完成IC模块与卡体的粘接。随着现在手机对SIM卡的尺寸要求越来越小，由最初的2FF到3FF再到4FF标准，而且对SIM卡整体的厚度要求也越来越薄，卡体厚度由0.8mm降到0.72mm厚。当前各个电信运营商要求在卡片的背面进行激光打码，往往会造成激光穿透PVC卡体层，将模块中的芯片损坏。为此，提出一种能有效的降低激光穿透能量的黑色热熔胶带具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种黑色热熔胶带，该黑色热熔胶带能有效的降低激光穿透能量，保护芯片。

本发明的另一目的在于提供一种上述黑色热熔胶带的制备工艺。

本发明的再一目的在于提供一种上述黑色热熔胶带的应用。

本发明是这样实现的，一种黑色热熔胶带，包括离型层和胶膜层；所述离型层上表面涂覆胶膜层，所述胶膜层厚度为40-80μm，所述胶膜包括以下重量份组分：

在上述技术方案中，优选的，所述胶膜包括以下重量份组分：

在上述技术方案中，优选的，所述导热填料为碳酸钙、滑石粉、石英、氧化锌、氧化钡、黏土、硫酸钡中的任意一种或多种物质的混合物组成。

在上述技术方案中，优选的，所述触变剂为气相二氧化硅，黏土，滑石粉，石蜡，松香树脂，石油树脂中的任意一种或多种物质的混合物组成。

在上述技术方案中，优选的，所述离型层为离型纸，所述离型纸的材质为双面硅油格拉辛纸。

上述黑色热熔胶带的制备工艺，包括如下步骤：

S1、将聚酰胺树脂、聚氨酯树脂与炭黑先进行双螺杆挤出机共混，使炭黑在胶粒体系中均匀分散；

S2、再将S1中添加了炭黑的聚酰胺、聚氨酯共混改性胶粒与增粘树脂、导热填料、触变剂、抗氧化剂进行双螺杆挤出共混；

S3、将共混后的胶粒放进涂布机中，进行加热熔融涂布，熔融的胶膜涂布在离型纸上，在水冷却辊上冷却干燥，得到黑色热熔胶带。

优选的，所述步骤S1)中，双螺杆挤出机的挤出温度为140～180℃，螺杆转速为20～40r/min。

优选的，所述步骤S2)中，挤出温度为140～180℃，螺杆转速为20～40r/min。

优选的，所述步骤S3)中，熔融温度为100～120℃，熔融的胶膜的粘度范围为700～1400Pa·s，涂布机速为15～25m/min，水冷却辊的水温为18-20℃。

上述黑色热熔胶带在双界面芯片卡上的应用。