[发明专利]一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法

权利要求书

1.一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：根据ASIC电路访存需求统计，评估存储系统可复用的设计规模，并规划设计研发内容；

S2：判断设计阶段是否为芯片研发阶段，若是，则将芯片存储部以ASIC正中心为坐标原点，以左上、左下、右上和右下为目标象限，按照水平中轴和垂直中轴进行对称布局，并同层拷贝电路设计内容；反之执行步骤S3；

S3：判断设计阶段是否为封装设计阶段，若是，则将封装存储部以ASIC正中心为坐标原点，以左上、左下、右上和右下为目标象限，按照水平中轴和垂直中轴进行对称布局，并同层拷贝电路设计内容；反之执行步骤S4；

S4：判断设计阶段是否为系统设计阶段，若是，则设计厚度方向对称的PCB叠层结构，将系统存储部以ASIC正中心为坐标原点，以左上、左下、右上和右下为目标象限，按照水平中轴、垂直中轴以及叠层中轴进行对称布局；反之执行步骤S5；

S5：通知设计者对ASIC电路进行手动象限布局。

2.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S1时，存储系统可复用的设计规模为2的倍数。

3.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S2时，利用半导体电路设计可镜像拷贝特性，将芯片存储部进行对称布局。

4.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S2时，芯片存储部包括存储PHY和芯片C4 BUMPs。

5.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S3时，利用封装设计可镜像拷贝特性，将封装存储部进行对称布局。

6.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S3时，封装存储部包括封装布线设计和封装管脚PINs。

7.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S4时，左上、左下、右上和左下存储系统设计几乎完全一致，相邻象限的存储部件、布线通道及其配套电路将完全翻转到PCB叠层结构的对称层。

8.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S4之前，系统存储部包括存储部件、布线通道及其配套电路。

9.根据权利要求1所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S2和S3时，进行对称布局后，只能同层拷贝复用，任何布线层1/4象限设计内容不允许超出所属1/4象限区域。

10.根据权利要求9所述的一种多层级高效率的存储系统可复用设计方法，其特征在于：

执行步骤S4时，将允许个别布线层1/4象限设计内容超出所属1/4象限区域，此时该布线层、该象限超出部分与该布线层、临近象限设计不干涉。