[发明专利]垂直存储器装置

说明书

公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极以及沟道。栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开。沟道延伸穿过栅电极，并且包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分形成在第一部分上并且连接到第一部分，并且具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，从而具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度。第三部分形成在第二部分上并且连接到第二部分。

本申请要求于2018年12月10日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0157921号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用被完全包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种垂直存储器装置。

背景技术

在VNAND闪存装置中，随着沿竖直方向堆叠的栅电极的数量增多，延伸穿过模的沟道孔不可能通过一道工艺形成，并且模和沟道孔中的每个会通过两道工艺形成。然而，当执行多道工艺时，填充下沟道孔的牺牲层不可能被完全去除使得残留物会剩余在下沟道孔中，或者牺牲层会具有大的厚度使得其上可以形成VNAND闪存装置的基底会翘曲。

发明内容

示例实施例提供了一种具有改善了的特性的垂直存储器装置。

根据示例实施例，公开涉及一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极，堆叠在基底上，栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟通，延伸穿过栅电极，沟道包括第一部分、第二部分和第三部分，第二部分位于第一部分上并且连接到第一部分，第二部分具有相对于基底的上表面倾斜的侧壁，使得第二部分具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度，第三部分位于第二部分上并且连接到第二部分。

根据示例实施例，公开涉及一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极，堆叠在基底上，栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；以及沟道，延伸穿过栅电极，沟道包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分具有从第一部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度，第二部分位于第一部分上并且连接到第一部分，第二部分具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度，第三部分位于第二部分上并且连接到第二部分，第三部分具有从第三部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度。

根据示例实施例，公开涉及一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：栅电极，堆叠在基底上，栅电极在基本垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；以及沟道，延伸穿过栅电极，沟道包括第一部分、突起和第二部分，第一部分，具有从第一部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度，突起从第一部分的上表面向上突出，第二部分位于第一部分上并且连接到第一部分，第二部分具有从第二部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度，其中，第二部分的下部的宽度小于第一部分的上部的宽度。

附图说明

图1、图2A和图2B是示出根据示例实施例的垂直存储器装置的平面图和剖视图；

图3至图14是示出根据示例实施例的制造垂直存储器装置的方法的平面图和剖视图；

图15A至图15E和图16是示出根据示例实施例的垂直存储器装置的剖视图；

图17A和图17B是示出根据示例实施例的垂直存储器装置的剖视图；

图18至图20是示出根据示例实施例的制造垂直存储器装置的方法的剖视图；

图21是示出根据示例实施例的垂直存储器装置的剖视图；

图22至图23是示出根据示例实施例的制造垂直存储器装置的方法的剖视图；以及

图24是示出根据示例实施例的垂直存储器装置的剖视图。

具体实施方式

从下面参照附图的详细描述，根据示例实施例的垂直存储器装置及其制造方法的上述和其他方面和特征将变得容易理解。