[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极，堆叠在基底上，所述栅电极在与所述基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此分隔开；以及

沟道，延伸穿过所述栅电极，所述沟道包括：

第一部分；

第二部分，位于所述第一部分上并且连接到所述第一部分，所述第二部分具有相对于所述基底的所述上表面倾斜的侧壁，使得所述第二部分具有从所述第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度；以及

第三部分，位于所述第二部分上并且连接到所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道的所述第二部分的所述侧壁相对于所述基底的所述上表面具有恒定的斜率。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道的所述第二部分的所述侧壁相对于所述基底的所述上表面具有变化的斜率。

4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道的所述第一部分和所述第三部分中的每个具有相对于所述基底的所述上表面倾斜的侧壁，所述沟道的所述第一部分的所述侧壁的宽度从所述第一部分的底部朝向顶部逐渐增大，所述沟道的所述第三部分的所述侧壁的宽度从所述第三部分的底部朝向顶部逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道的所述第三部分的下部和所述第二部分被连接图案围绕，所述沟道的所述第一部分的上部被绝缘图案围绕。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，所述连接图案包括原硅酸四乙酯或高密度等离子体氧化物。

7.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，所述连接图案的下表面的一部分低于所述绝缘图案的上表面。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，所述连接图案的所述下表面的所述一部分与所述沟道的所述第三部分的下部和所述第二部分相邻。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道还包括：

第四部分，位于所述第三部分上并且连接到所述第三部分，所述第四部分具有相对于所述基底的所述上表面倾斜的侧壁，使得所述第四部分具有从所述第四部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度；以及

第五部分，位于所述第四部分上并且连接到所述第四部分。

10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中，所述第五部分具有相对于所述基底的所述上表面倾斜的侧壁，使得所述第五部分具有从所述第五部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，

其中，所述沟道具有杯状的形状，并且

其中，所述垂直存储器装置还包括覆盖所述沟道的外侧壁的电荷存储结构。

12.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，所述电荷存储结构的一部分向上突出并且不接触所述沟道的所述外侧壁。

13.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极，堆叠在基底上，所述栅电极在与所述基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此分隔开；以及

沟道，延伸穿过所述栅电极，所述沟道包括：

第一部分，具有从所述第一部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度；

第二部分，位于所述第一部分上并且连接到所述第一部分，所述第二部分具有从所述第二部分的底部朝向顶部逐渐减小的宽度；以及

第三部分，位于所述第二部分上并且连接到所述第二部分，所述第三部分具有从所述第三部分的底部朝向顶部逐渐增大的宽度。

14.根据权利要求13所述的垂直存储器装置，其中，所述沟道的所述第三部分的下部和所述第二部分被连接图案围绕，并且所述沟道的所述第一部分的上部被绝缘图案围绕。