[发明专利]一种晶圆研磨装置

说明书

本发明提供一种晶圆研磨装置，包括：研磨机构；导向轮，导向轮上形成有导向槽，晶圆的边缘可旋转地置于导向槽中；止抵组件包括两个止抵件、两个辊杆和两个静压阀，两个止抵件相对设置在晶圆的两侧且止抵晶圆的表面，两个止抵件在晶圆的轴向方向上可移动，每个辊杆的一端分别与对应的止抵件相连，静压阀内限定有腔室，腔室中设有可移动的阀塞以将腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个辊杆的另一端与阀塞连接，辊杆可沿长度方向移动；稳压装置控制第一腔室中的压力等于预设压力值；检测器根据止抵件或辊杆的位移检测晶圆的厚度。本发明的研磨装置能够对晶圆导向，防止晶圆出现振动或偏移，检测晶圆厚度，使晶圆能够研磨至厚度均匀，去除损伤层。

技术领域

本发明涉及晶圆的加工领域，具体涉及一种晶圆研磨装置。

背景技术

通常，线切割结束的晶圆存在厚度偏差，由于线切割中使用的SiC研磨料，晶圆的表面残留有损伤层。就研磨料与研磨工程同时自由地运动而发生的加工而言，晶圆在加工过程中发生表面的微裂等表面损伤，晶圆研磨过程中，如图1中，研磨粒3在研磨板2的作用下研磨晶圆1，如图2中，用砂轮5来研磨晶圆4，晶圆研磨后晶圆的表面存在厚度偏差或损伤层，为了减小晶圆的厚度偏差或去除表面的损伤层，通过研磨工程及表面粗磨工程来实现。但是，就研磨工程而言，每单位时间的材料去除率低，为了执行研磨工程需要准备研磨浆料等本作业以外的准备工程耗费大量时间，为了在研磨工程之后去除粘附于晶圆表面的研磨浆料，需要具备额外的清洗装备，工序复杂，研磨效率不高，在研磨过程中，晶圆易出现振动或偏移使得研磨出现偏差，导致晶圆的厚度不均匀，存在厚度差，晶圆的加工研磨质量降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆研磨装置，用以解决晶圆研磨过程中需要研磨浆料，晶圆易振动或偏移，晶圆的厚度加工不均匀，加工效率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明实施例的晶圆研磨装置，包括：

研磨机构，用于研磨晶圆；

导向轮，所述导向轮上形成有沿周向方向延伸的导向槽，所述晶圆的边缘可旋转地置于所述导向槽中且止抵所述导向槽的内侧壁；

至少一组止抵组件，所述止抵组件包括：

两个止抵件，两个所述止抵件相对设置在所述晶圆的两侧且分别止抵所述晶圆的表面，两个止抵件在所述晶圆的轴向方向上可移动，所述晶圆在两个所述止抵件之间可旋转；

两个辊杆，每个所述辊杆的一端分别与对应的所述止抵件相连；

两个静压阀，所述静压阀内限定有腔室，所述腔室中设有可移动的阀塞以将所述腔室限定成第一腔室和第二腔室，每个所述辊杆的另一端分别伸入对应的所述静压阀内的所述第二腔室中与所述阀塞连接，当所述止抵件承受的压力与所述静压阀内的所述第一腔室中的压力不相等时，所述辊杆沿长度方向移动；

稳压装置，所述稳压装置与所述静压阀的第一腔室连通以控制所述第一腔室中的压力等于预设压力值；

检测器，所述检测器根据所述止抵件或所述辊杆移动的位移来检测所述晶圆的厚度。

其中，所述研磨机构包括：

可旋转的研磨轮，所述研磨轮上设有沿周向方向延伸的研磨槽。

其中，所述研磨机构还包括：

第一电机，所述第一电机与所述研磨轮相连以驱动所述研磨轮旋转。

其中，所述导向轮包括多个，多个所述导向轮沿所述晶圆的周向间隔开分布。

其中，所述导向轮可旋转并驱动所述晶圆旋转。

其中，还包括第二电机，所述第二电机与所述导向轮相连以驱动所述导向轮旋转。