[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

可以提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：基板，具有多个有源鳍，所述多个有源鳍中的每个有源鳍沿第一方向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍，第一栅极结构和第二栅极结构沿不同于第一方向的第二方向延伸，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开；至少一个绝缘阻挡物，沿第一方向延伸并在所述多个有源鳍之间，绝缘阻挡物使第一栅极结构的下部和第二栅极结构的下部彼此分隔；以及栅极隔离层，连接到绝缘阻挡物的一部分，栅极隔离层使第一栅极结构的上部和第二栅极结构的上部彼此分隔。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件和/或制造半导体器件的方法。

背景技术

随着对半导体器件的更高的性能、更快的速度和/或多功能性等的需求增加，半导体器件的集成度趋于增大。在制造这样的高集成的半导体器件时，期望实现具有精细宽度或精细间隔距离的图案。此外，随着半导体器件变得更高集成，平面金属氧化物半导体FET(MOSFET)趋于被具有三维(3D)结构的沟道的FinFET代替。

发明内容

本发明构思的至少一个或更多个方面是提供一种半导体器件和/或该半导体器件的制造方法，其中集成度被提高。

根据一示例实施方式，一种半导体器件包括：基板，具有多个有源鳍，所述多个有源鳍中的每个沿第一方向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍，第一栅极结构和第二栅极结构沿不同于第一方向的第二方向延伸，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开；至少一个绝缘阻挡物，沿第一方向延伸并在所述多个有源鳍之间，绝缘阻挡物使第一栅极结构的下部和第二栅极结构的下部彼此分隔；以及栅极隔离层，连接到绝缘阻挡物的一部分，栅极隔离层使第一栅极结构的上部和第二栅极结构的上部彼此分隔。

根据一示例实施方式，一种半导体器件包括：基板，具有多个有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，所述多个有源鳍以第一间隔或第二间隔布置，第二间隔大于第一间隔；第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍并沿与第一方向不同的第二方向延伸，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上彼此间隔开；至少一个绝缘阻挡物，在所述多个有源鳍中的以第二间隔布置的相邻的两个有源鳍之间，该绝缘阻挡物沿第一方向延伸并在第一栅极结构和第二栅极结构之间；以及栅极隔离层，在绝缘阻挡物的上表面的一部分上且在第一栅极结构和第二栅极结构之间。

根据一示例实施方式，一种半导体器件包括：基板，具有多个有源鳍，所述多个有源鳍中的每个沿第一方向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍并沿与第一方向不同的第二方向延伸；以及栅极切割结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间使得第一栅极结构和第二栅极结构被分隔开，该栅极切割结构包括在所述多个有源鳍之间沿第一方向延伸的绝缘阻挡物以及在绝缘阻挡物的上表面的一部分上的栅极隔离层。

根据一示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上形成沿第一方向延伸的多个有源鳍，所述多个有源鳍具有突出超过器件隔离层的结构；在器件隔离层上形成第一虚设栅极材料层以覆盖所述多个有源鳍；去除第一虚设栅极材料层的在所述多个有源鳍之间的一些以暴露器件隔离层的一部分，器件隔离层的暴露部分限定由第一虚设栅极材料层围绕的空间的底表面；在器件隔离层的暴露部分上形成绝缘阻挡物，使得由第一虚设栅极材料层围绕的空间被填充；在第一虚设栅极材料层上形成第二虚设栅极材料层；通过图案化第一虚设栅极材料层和第二虚设栅极材料层，形成至少一个虚设栅极图案；在虚设栅极图案的一部分中形成隔离孔，使得虚设栅极图案被分隔成两部分并且绝缘阻挡物的一部分经由隔离孔暴露；以及在虚设栅极图案的隔离孔中形成栅极隔离层。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本公开的以上和其它的方面、特征和优点将被更清楚地理解，附图中：

图1是示出根据一示例实施方式的半导体器件的平面图；

图2是示出图1所示的半导体器件的部分A的局部透视图；