[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有多个有源鳍，所述多个有源鳍中的每个沿第一方向延伸；

跨过所述多个有源鳍的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在所述第二方向上彼此间隔开；

至少一个绝缘阻挡物，沿所述第一方向延伸并在所述多个有源鳍之间，所述绝缘阻挡物使所述第一栅极结构的下部和所述第二栅极结构的下部彼此分隔；以及

栅极隔离层，连接到所述绝缘阻挡物的一部分，所述栅极隔离层使所述第一栅极结构的上部和所述第二栅极结构的上部彼此分隔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘阻挡物延伸到与所述多个有源鳍中的相邻有源鳍的长度相对应的长度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘阻挡物具有比所述有源鳍的高度大的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘阻挡物在所述第二方向上的宽度小于所述栅极隔离层在所述第二方向上的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘阻挡物和所述栅极隔离层中的每个在底表面处的宽度小于在顶表面处的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个有源鳍以多个不同的间隔布置，并且所述至少一个绝缘阻挡物包括多个绝缘阻挡物，所述多个绝缘阻挡物根据所述多个有源鳍中的相应的相邻对之间的相应间隔而具有不同的宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个绝缘阻挡物都不存在于所述多个有源鳍当中的以所述多个不同的间隔中的最小间隔布置的两个相邻的有源鳍之间。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个绝缘阻挡物包括在所述第二方向上布置的两个绝缘阻挡物，并且所述两个绝缘阻挡物中的每个在所述多个有源鳍中的以所述多个不同的间隔中的最大间隔布置的两个相邻的有源鳍之间的区域处。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个绝缘阻挡物包括多个绝缘阻挡物，并且所述多个绝缘阻挡物具有比所述多个有源鳍的高度大的高度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个包括在所述多个有源鳍中的每个的一部分上的栅极电介质膜和在所述栅极电介质膜上的栅电极，并且

所述栅极电介质膜延伸到所述绝缘阻挡物的与所述栅电极接触的侧表面和所述栅极隔离层的与所述栅电极接触的侧表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个还包括栅极间隔物，所述栅极间隔物既在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个的侧表面上又在所述栅极隔离层的侧表面上，并沿所述第二方向延伸。

12.一种半导体器件，包括：

基板，具有多个有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，所述多个有源鳍以第一间隔或第二间隔布置，所述第二间隔大于所述第一间隔；

第一栅极结构和第二栅极结构，跨过所述多个有源鳍并沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在所述第二方向上彼此间隔开；

至少一个绝缘阻挡物，在所述多个有源鳍中的以所述第二间隔布置的相邻的两个有源鳍之间，所述绝缘阻挡物沿所述第一方向延伸并在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；以及

栅极隔离层，在所述绝缘阻挡物的上表面的一部分上且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述绝缘阻挡物具有与所述多个有源鳍中的相邻的有源鳍的长度对应的长度，并具有比所述有源鳍的高度大的高度。