[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201910859231.0 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110911448A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 金南珍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基体层,显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域被限定在所述基体层上;
电路层,设置在所述基体层上并且包括多个绝缘层;
像素层,设置在所述显示区域中并且包括多个有机发光二极管;
封装层,设置在所述像素层上以覆盖所述像素层;以及
突出构件,在所述非显示区域中设置在所述电路层与所述封装层之间,
其中,堤结合孔在所述非显示区域中被限定在所述电路层中,并且
其中,所述堤结合孔被限定为穿过所述多个绝缘层中的至少最上绝缘层,并且在平面上与所述突出构件叠置。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
所述突出构件设置为多个,并且
所述突出构件包括:坝,设置为围绕所述显示区域;以及堤,设置在所述坝的在第一方向上的外侧上,并且所述堤结合孔在所述平面上与所述堤叠置。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述电路层还包括:
阻挡层,设置在所述基体层上;
多个薄膜晶体管,设置在所述阻挡层上;以及
多个导电图案,在所述非显示区域中设置在所述阻挡层上,并且
所述多个绝缘层包括:多个中间绝缘层,设置在所述阻挡层上;以及上绝缘层,设置在所述多个中间绝缘层上以覆盖所述多个薄膜晶体管和所述多个导电图案。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中:
所述堤结合孔被限定为穿过所述上绝缘层以暴露所述中间绝缘层的一部分,并且
所述堤和所述中间绝缘层通过所述堤结合孔彼此结合。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中:
封装结合孔被限定为在所述非显示区域中穿过至少所述上绝缘层,并且
所述封装结合孔在所述平面上限定在所述堤与所述坝之间。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中:
所述封装结合孔被限定为穿过所述上绝缘层和所述多个中间绝缘层,并且
所述封装层和所述阻挡层通过所述封装结合孔彼此结合。
7.根据权利要求3所述的显示设备,其中:
所述堤结合孔被限定为穿过所述上绝缘层、所述多个中间绝缘层和所述阻挡层,并且
所述堤和所述基体层通过所述堤结合孔彼此结合。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述堤结合孔在所述平面上不与所述多个导电图案叠置,并且与所述多个导电图案绝缘。
9.根据权利要求3所述的显示设备,其中:
所述电路层包括被限定为在所述非显示区域中穿过至少所述上绝缘层的坝结合孔,并且
所述坝结合孔在所述平面上与所述坝叠置。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述坝结合孔在所述平面上与所述多个导电图案的至少一部分叠置,并且与所述多个导电图案绝缘。
11.根据权利要求9所述的显示设备,其中:
所述坝结合孔被限定为穿过所述上绝缘层和所述多个中间绝缘层,并且
所述坝和所述阻挡层通过所述坝结合孔彼此结合。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述坝结合孔在所述平面上不与所述多个导电图案叠置,并且与所述多个导电图案绝缘。
13.根据权利要求3所述的显示设备,其中:
所述坝设置为多个,
所述坝包括:
第一坝,在所述平面上具有围绕所述显示区域的框形状;以及
第二坝,在所述平面上具有围绕所述第一坝的框形状,并且
所述第一坝和所述第二坝中的至少一个与所述多个导电图案叠置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的