[发明专利]一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺

权利要求书

1.一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对镀膜腔室的五个温区进行升温，然后对镀膜腔室内充入N₂进行吹扫，将电池片制绒后放置石墨舟并置于镀膜腔室中进行加热，对电池片加热60s，石墨舟舟页数量为27页，石墨舟为8格舟页，一舟460pcs多晶硅片；

S2、使镀膜腔室保持常压，将温度回调至工艺所需温度后并持续加热500s，保持五个温区温度，然后对镀膜腔室抽空并形成真空状态；

S3、对镀膜腔室内通入NH₃，NH₃流量为7000sccm，在300s后对镀膜腔室内压力增加，使其镀膜腔室压强提高至310Pa，持续10s，然后对镀膜腔室内同时通入 NH₃、SiH₄，通入SiH₄流量为1600sccm,通入NH₃流量为7000sccm，在NH₃、SiH₄通入20s后启动射频发射器，功率为11250w，此时，镀膜腔室内压力为1600Pa，使其电池片表面形成第一层膜；

S4、关闭射频发射器，并持续通入NH₃、SiH₄，通入 NH₃流量为8500sccm，通入SiH₄流量为800sccm,为第二层膜做稳压准备，持续时间640s，镀膜腔室内压力提高至1600Pa，其中，在通入NH₃、SiH₄ 10s后，启动射频发射器，功率为13250w，使其电池片的第一层膜表面形成第二层膜；

S5、抽空，并对镀膜腔室充N₂吹扫；

S6、出舟。

2.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的五个温区温度沿预设方向依次为575℃、550℃、565℃、570℃、510℃。

3.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，相邻舟页之间距离为1.7cm。

4.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的第一层膜厚度为30μm，所述的第二层膜厚度为50μm。

5.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的第一层膜与第二层膜均为氮化硅膜。

6.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的对镀膜腔室增压时，对镀膜腔室内充入N₂进行增压。

7.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的在镀第一层膜时，镀膜腔室内的氨硅比例4.375：1。

8.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的在镀第二层膜时，镀膜腔室内的氨硅比例10.625：1。

9.根据权利要求1所述的多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺，其特征在于，所述的在镀第一层膜时氨硅总量和在镀第二层膜时第二层膜氨硅总量比例为1：2.248。