[发明专利]一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺有效
| 申请号: | 201910858991.X | 申请日: | 2019-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN110600556B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
| 发明(设计)人: | 高越;倪佳;张华东 | 申请(专利权)人: | 浙江德西瑞新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/505;C23C28/04 |
| 代理公司: | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人: | 蔡鼎 |
| 地址: | 314400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多晶 太阳电池 减反射膜 扩容 镀膜 工艺 | ||
本发明提供了一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺,属于电池片加工技术领域。它解决了现有电池片加工效率慢、色差大的等技术问题。一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、对镀膜腔室内充入N2进行吹扫,将电池片制绒后放置石墨舟并置于镀膜腔室中进行加热;S2、对镀膜腔室抽空并形成真空状态;S3、对镀膜腔室内通入NH3、SiH4,启动射频发射器,功率为11250w,使其电池片表面形成第一层膜;S4、关闭射频发射器,并持续通入NH3、SiH4,镀膜腔室内压力提高至1600Pa,使其电池片的第一层膜表面形成第二层膜;S5、抽空;S6、出舟。本发明具有加工效率高、色差小的优点。
技术领域
本发明属于电池片加工技术领域,特别是一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺。
背景技术
光伏发电由于其成本太高,仍然无法取代传统能源,降低成本、提高太阳电池转换效率是光伏行业可以逐渐取代传统能源的关键。目前市场上光伏发电产品仍以多晶太阳电池组件为主,降低多晶太阳电池成本、提高多晶电池转换效率是降本关键。
多晶硅采用氢氟酸酸和硝酸体系制绒制备微米级蠕虫状结构,制绒后多晶硅片表面反射率控制在22-24%左右。
但是,随着光伏发电,其电池片的生产加工也难以突破限制,传统的电池片镀膜工艺中,每舟240片,在一天总体加工镀膜的数量上较少,跟不上产量的需求,且传统镀膜工艺中,容易造成电池片颜色产生色差,报废率较高。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺,解决了加工效率慢、色差大的问题。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现:
一种多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、对镀膜腔室的五个温区进行升温,然后对镀膜腔室内充入N2进行吹扫,将电池片制绒后放置石墨舟并置于镀膜腔室中进行加热,对电池片加热60s;
S2、使镀膜腔室保持常压,将温度回调至工艺所需温度后并持续加热500s,保持五个温区温度,然后对镀膜腔室抽空并形成真空状态;
S3、对镀膜腔室内通入NH3,NH3流量为7000sccm,在300s后对镀膜腔室内压力增加,使其镀膜腔室压强提高至310Pa,持续10s,然后对镀膜腔室内同时通入NH3、SiH4,通入SiH4流量为1600sccm,通入NH3流量为7000sccm,在NH3、SiH4通入20s后启动射频发射器,功率为11250w,此时,镀膜腔室内压力为1600Pa,使其电池片表面形成第一层膜;
S4、关闭射频发射器,并持续通入NH3、SiH4,通入NH3流量为8500sccm,通入SiH4流量为800sccm,为第二层膜做稳压准备,持续时间640s,镀膜腔室内压力提高至1600Pa,其中,在通入NH3、SiH410s后,启动射频发射器,功率为13250w,使其电池片的第一层膜表面形成第二层膜;
S5、抽空,并对镀膜腔室充N2吹扫;
S6、出舟。
氨硅比例为硅烷和氨气的比例。
在上述多晶太阳电池减反射膜的扩容镀膜工艺中,所述的五个温区温度沿预设方向依次为575℃、550℃、565℃、570℃、510℃。
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