[发明专利]电子封装件及其制法

说明书

本发明涉及一种电子封装件及其制法，一种电子封装件的制法经由包覆层包覆第一电子元件与多个导电柱，且该包覆层定义有相邻接的一保留区及一移除区，再形成线路结构在该包覆层上，之后移除该移除区及其上的线路结构，以在后续设置光通讯元件在该线路结构上时，令该光通讯元件能有效凸出该包覆层的侧面，避免后续制程用的封装材附着在该光通讯元件的凸出部分。本发明还提供该电子封装件。

技术领域

本发明有关一种半导体封装技术，特别是一种电子封装件及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足电子封装件微型化(miniaturization)的封装需求，发展出晶圆级封装(Wafer LevelPackaging，简称WLP)技术。

图1A至1E为现有采用晶圆级封装技术的半导体封装件1的制法的剖面示意图。

如图1A所示，形成一热化离形胶层(thermal release layer)100在一承载件10上。

接着，置放多个通讯芯片11在该热化离形胶层100上，所述通讯芯片11具有相对的作用面11a与非作用面11b，各该作用面11a上具有多个电极垫110，且各该通讯芯片11以其作用面11a粘着在该热化离形胶层100上。

如图1B所示，形成一封装胶体14在该热化离形胶层100上，以包覆所述通讯芯片11。

如图1C所示，以烘烤方式以硬化该热化离形胶层100，进而移除该热化离形胶层100与该承载件10，以外露出所述通讯芯片11的作用面11a。

如图1D所示，形成一线路结构16在该封装胶体14与所述通讯芯片11的作用面11a上，令该线路结构16电性连接该电极垫110。接着，形成一绝缘保护层18在该线路结构16上，且该绝缘保护层18外露该线路结构16的部分表面，以供结合如焊球的导电元件17。

如图1E所示，沿如图1D所示的切割路径L进行切单制程，以获取多个个半导体封装件1。

但是，现有半导体封装件1的制法中，若将该半导体封装件1应用在网通交换器时，由在该通讯芯片11对外界环境应力具有高敏感性，若进行研磨制程时，研磨作用力会影响该通讯芯片11的传输功能，导致该半导体封装件1不良。

另随着数据网络按比例缩放以满足不断增加的频宽要求，铜数据通道(如该线路结构16的线路)的缺点越来越明显，例如，因所述通讯芯片11之间的辐射电磁能量而引起的信号衰减及串扰。

此外，业界虽可经由均衡、编码及屏蔽等设计减轻信号衰减及串扰的状况，但所述设计需相当大的功率、复杂度及电缆容积损失，且仅仅改善局部区域的适用度及有限的可缩放性。

因此，如何克服现有技术的种种缺点，实为目前各界亟欲解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提供一种电子封装件及其制法，其经由包覆层设计有移除区的设计，以避免研磨制程或封装材影响光通讯元件的功能。

本发明的电子封装件包括：包覆层，其具有相对的第一表面与第二表面及邻接该第一与第二表面的侧面；第一电子元件，其嵌埋在该包覆层中；多个导电柱，其嵌埋在该包覆层中；线路结构，其形成在该包覆层的第一表面上且电性连接该导电柱与该第一电子元件；以及光通讯元件，其设在该线路结构上且电性连接该线路结构，其中，该光通讯元件具有光电部及雷射部。

前述的电子封装件中，还包括线路部，其形成在该包覆层的第二表面上且电性连接该导电柱。