[发明专利]一种加热器支撑基体的制备方法及加热器的制备方法有效
| 申请号: | 201910854354.5 | 申请日: | 2019-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN110512188B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 何军舫 | 申请(专利权)人: | 博宇(天津)半导体材料有限公司;北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司;博宇(朝阳)半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/56;C23C16/26;H05B3/02;H05B3/14;H05B3/26 |
| 代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 郑久兴 |
| 地址: | 301802 天津市宝坻区中关村*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热器 支撑 基体 制备 方法 | ||
1.一种加热器的制备方法,其特征在于,包括:
制备加热器支撑基体;所述制备加热器支撑基体,包括:制备基体本体;对所述基体本体进行处理,使所述基体本体的表面形成第一区域和第二区域,且所述第一区域的粗糙度大于所述第二区域;
在所述加热器支撑基体的表面沉积导电材料层;
去除所述第二区域的表面上的所述导电材料层;
在具有导电材料层的所述加热器支撑基体的表面形成绝缘层,得到加热器;
其中,所述对所述基体本体进行处理,使所述基体本体的表面形成第一区域和第二区域,且所述第一区域的粗糙度大于所述第二区域,包括:将所述基体本体修整至预设厚度;将所述第一区域的粗糙度修整至第一预设值,将所述第二区域表面的粗糙度修整至第二预设值;
所述将所述第一区域的粗糙度修整至第一预设值,将所述第二区域表面的粗糙度修整至第二预设值包括:将所述基体本体表面的粗糙度修整至所述第一预设值;在所述基体本体表面上形成凹槽;将所述凹槽表面的粗糙度修整至所述第二预设值,形成所述第二区域,所述基体本体表面粗糙度为所述第一预设值的区域为所述第一区域。
2.根据权利要求1所述的加热器的制备方法,其特征在于,制备基体本体包括:
将三氯化硼、氨气和氮气均匀混合后通入高温沉积炉中;
所述三氯化硼、所述氨气和所述氮气在高温沉积炉中反应并在所述高温沉积炉内的模具表面上沉积非晶态热解氮化硼;
对所述非晶态热解氮化硼进行高温烧结析晶处理;
将所述高温沉积炉降温至室温,得到所述基体本体。
3.根据权利要求1所述的加热器的制备方法,其特征在于,所述将所述第一区域的粗糙度修整至第一预设值,将所述第二区域表面的粗糙度修整至第二预设值包括:
将所述基体本体表面的粗糙度修整至所述第二预设值;
在所述基体本体表面上形成凹槽;
将所述凹槽表面的粗糙度修整至所述第一预设值,形成所述第一区域,所述基体本体表面粗糙度为所述第二预设值的区域为所述第二区域。
4.根据权利要求1所述的加热器的制备方法,其特征在于,所述第一预设值为1.0~6.0μm。
5.根据权利要求1所述的加热器的制备方法,其特征在于,所述第二预设值≤0.5μm。
6.根据权利要求1所述的加热器的制备方法,其特征在于,所述在所述加热器基体本体的表面上形成所述导电材料层,包括:
将含碳类烷烃气体和惰性气体混合后通入高温加载炉;
所述含碳类烷烃气体和所述惰性气体在所述高温加载炉内反应生成热解碳材料,并沉积于所述加热器支撑基体表面。
7.根据权利要求6所述的加热器的制备方法,其特征在于,所述在所述导电材料层和所述第二区域形成绝缘层,包括:
将三氯化硼、氨气和氮气均匀混合后通入高温沉积炉中;
所述三氯化硼、所述氨气和所述氮气在所述高温沉积炉中反应,并且于在所述第一区域表面形成所述导电材料层后的所述加热器支撑基体的表面上沉积非晶态热解氮化硼;
对所述非晶态热解氮化硼进行高温烧结析晶处理;
将所述高温沉积炉降温至室温,得到所述加热器。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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