[发明专利]生长炉用坩埚托盘及生长炉在审
申请号: | 201910852798.5 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN110453291A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 冯祥雷 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 100176北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 托盘本体 底托 生长炉 坩埚托盘 水平度 坩埚 承载托盘 竖向移动 周向分布 平移 抵住 底面 调平 升降 侧面 应用 | ||
本发明提供一种生长炉用坩埚托盘及生长炉,该生长炉用坩埚托盘包括托盘本体、调节底托、第一调节件、第二调节件,其中,调节底托设置于托盘本体的底部,用于承载托盘本体;第一调节件为多个,均设置于调节底托上,并沿调节底托的周向分布;第二调节件也为多个,均设置于调节底托中,且与第一调节件一一对应地设置;第一调节件的一端与托盘本体的底面接触,另一端抵住第二调节件;第二调节件可在调节底托中平移,进而驱使第一调节件沿竖向移动,从而托着托盘本体升降,以调平托盘本体。应用本发明,可以实现从侧面对托盘本体及托盘本体上坩埚的水平度进行调节,使得坩埚水平度的调节过程更加简单、操作更加方便。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种生长炉用坩埚托盘及生长炉。
背景技术
单晶材料(如碳化硅、氮化镓、金刚石等)的生长是半导体材料的制备过程中非常重要的一步,其通常在生长炉中进行。具体地,通常是先将晶体放入坩埚中,然后将盛有晶体的坩埚放入生长炉中,进行单晶的生长。坩埚作为晶体生长的腔室,坩埚的水平度将直接影响晶体的晶型及厚度等关键参数,所以在进行工艺之前,都需要对坩埚进行调平。坩埚通常放置在坩埚托盘上进行工艺,可以通过调节坩埚托盘来调节坩埚的水平度。
常用的坩埚托盘的结构图1和图2所示,包括托盘本体01、调节底托02及调节螺钉03,调节底托安装在支撑轴05的顶端,托盘本体通过紧固螺钉04连接在调节底托上,调节螺钉03竖直螺接在调节底托上,并顶抵托盘本体01,在托盘本体01与调节底托02未进行紧固时,从底部旋拧调节螺钉03可以调节托盘本体的水平度。如此,虽然能实现对托盘本体01及其上的坩埚的调平功能,但是调平过程复杂,调平过程首先需要松动托盘本体与调节底托的紧固螺钉 04,再根据坩埚的水平情况,反复对调节螺钉03进行松动或拧紧,每次调节量少,可调范围较小,整个调节过程繁琐;且进行调节时,需由下方对调节螺钉03进行松动或拧紧,操作不便。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种生长炉用坩埚托盘及生长炉。
为实现本发明的目的,一方面提供一种生长炉用坩埚托盘,包括:托盘本体、调节底托、第一调节件、第二调节件,其中,
所述调节底托设置于所述托盘本体的底部,用于承载所述托盘本体;
所述第一调节件为多个,均设置于所述调节底托上,并沿所述调节底托的周向分布;所述第二调节件也为多个,均设置于所述调节底托中,且与所述第一调节件一一对应地设置;所述第一调节件的一端与所述托盘本体的底面接触,另一端抵住所述第二调节件;所述第二调节件可在所述调节底托中沿所述调节底托的径向水平移动或与水平方向成一定角度移动,进而驱使所述第一调节件沿竖直方向移动或与竖直方向呈一定角度移动,从而托着所述托盘本体升降,以调平所述托盘本体。
可选地,所述调节底托上设有多个调节孔道,所述调节孔道均包括第一孔道和第二孔道,所述第一孔道和所述第二孔道相互连通,所述第一孔道沿所述调节底托的轴向设置,且开口设于所述调节底托的上表面,所述第二孔道沿所述调节底托的径向设置,且开口设于所述调节底托的侧面或下表面;
所述第一调节件设于所述第一孔道内,所述第二调节件设于所述第二孔道内。
可选地,所述第一调节件为球形。
可选地,所述第二调节件与所述第一调节件接触的位置处设置有斜面或锥面。
可选地,所述第二孔道内具有内螺纹,所述第二调节件具有与所述内螺纹配合的外螺纹。
可选地,所述托盘本体的底面上设有多个第一凹槽,所述第一凹槽与所述第一调节件一一对应地设置,用于容置部分所述第一调节件。
可选地,所述调节底托的顶面上设置有凸块,所述托盘本体的底面上设置有第二凹槽,所述凸块与所述第二凹槽相互配合以支撑所述托盘本体。
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