[发明专利]薄膜晶体管、显示面板、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。本发明的一种薄膜晶体管，包括：基底，设置于基底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极；所述有源层设置于所述栅极与所述有源层之间；所述栅绝缘层设置于所述栅绝缘层与所述有源层之间；所述薄膜晶体管还包括：中间层，其设置于所述源极与所述栅绝缘层之间；所述中间层在所述基底上的正投影落入所述有源层与所述栅绝缘层在所述基底上的正投影的交叠区域内；所述中间层的材料的介电常数大于4。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)作为显示背板和其他光电子设备的像素驱动器件，是显示产品的重要组成部分。随着显示技术的进步，不仅要求工艺技术的改善，更要求薄膜晶体管能够低功耗运行，即降低晶体管的工作电压。较小亚阈值摆幅可表明电子需要填充的沟道层与介电层之间的界面态较少，使沟道可以实现快速地开启或关闭，即实现了晶体管阈值电压或工作电压的降低。因此，薄膜晶体管亚阈值摆幅的降低对薄膜晶体管器件性能的改善，乃至电子产业的发展至关重要。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种亚阈值摆幅较小的薄膜晶体管。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括：基底，设置于基底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极；所述有源层设置于所述栅极与所述有源层之间；所述栅绝缘层设置于所述栅绝缘层与所述有源层之间；所述薄膜晶体管还包括：

中间层，其设置于所述源极与所述栅绝缘层之间；所述中间层在所述基底上的正投影落入所述有源层与所述栅绝缘层在所述基底上的正投影的交叠区域内；

所述中间层的材料的介电常数大于4。

优选的，所述中间层的厚度范围包括：1纳米-10纳米。

优选的，所述中间层的材料包括绝缘材料。

进一步优选的，所述绝缘材料包括：二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的至少一种。

优选的，所述中间层的材料包括半导体材料。

进一步优选的，所述半导体材料包括氧化锌、铟镓锌氧化物、非晶硅中的至少一种。

优选的，所述中间层在所述基底上的正投影与所述有源层和所述栅绝缘层在所述基底上的正投影的交叠区域完全重叠。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种一种显示面板，包括上述任意一种薄膜晶体管。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述任意一种显示面板。

附图说明

图1为本发明的薄膜晶体管的结构示意图；

其中附图标记为：1、基底；2、栅极；3、栅绝缘层；4、有源层；5、中间层；6、源极；7、漏极。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

如图1所示，本实施例提供一种薄膜晶体管，包括：基底1，设置于基底1上的栅极2、栅绝缘层3、有源层4、源极6。有源层4设置于栅极2与有源层4之间；栅绝缘层3设置于栅绝缘层3与有源层4之间。特别的是，本实施例中，还在薄膜晶体管中设置中间层5，利用中间层5将量子隧穿效应引入薄膜晶体管中，使薄膜晶体管的电学特性得到改善。