[发明专利]薄膜晶体管、显示面板、显示装置在审
| 申请号： | 201910851655.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110534580A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谢蒂旎;朱夏明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 柴亮;张天舒<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅绝缘层 源层 基底 薄膜晶体管 中间层 正投影 源极 交叠区域 介电常数 显示面板 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基底，设置于基底上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极；所述有源层设置于所述栅极与所述有源层之间；所述栅绝缘层设置于所述栅绝缘层与所述有源层之间；其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
中间层，其设置于所述源极与所述栅绝缘层之间；且所述中间层在所述基底上的正投影落入所述有源层与所述栅绝缘层在所述基底上的正投影的交叠区域内；
所述中间层的材料的介电常数大于4。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间层的厚度范围包括：1纳米-10纳米。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间层的材料包括绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘材料包括：二氧化硅、氮化硅、氧化铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间层的材料包括半导体材料。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体材料包括氧化锌、铟镓锌氧化物、非晶硅中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间层在所述基底上的正投影与所述有源层和所述栅绝缘层在所述基底上的正投影的交叠区域完全重叠。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的薄膜晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
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