[发明专利]一种提高硫酸多粘菌素B发酵水平的方法有效
| 申请号: | 201910849868.1 | 申请日: | 2019-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN112553277B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
| 发明(设计)人: | 王昂;仲伟潭;郭月玲;张莉;张雪霞;高健;石英;米贯东;王崔岩;常亮;李敏;安兰兰;彭亮;谢新宇 | 申请(专利权)人: | 华北制药集团新药研究开发有限责任公司 |
| 主分类号: | C12P21/02 | 分类号: | C12P21/02;C12N1/20;C12R1/12 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 052165 河北省石家庄市经济技术开*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 硫酸 多粘菌素 发酵 水平 方法 | ||
1.一种提高硫酸多粘菌素B发酵水平的方法,包括发酵配方及补料发酵工艺,其特征在于:发酵配方分为由发酵碳源及无机盐组成的基础配方和由发酵氮源组成的补料配方;基础配方的每升培养基组成:小麦面粉130-150g、淀粉酶0.10-0.12g、氯化钠0.7-0.9g、氯化镁0.9-1.1g、磷酸二氢钾0.6-0.8g、碳酸钙4-6g,消沫剂2-4mL,其余为水;补料配方的每升培养基组成:蛋白胨22-24g、玉米浆31-33g、硫酸铵35-37g,其余为水;
补料发酵工艺包括以下步骤:
a)基础配方的培养基采用发酵罐单消的灭菌方式:将其溶于发酵罐中,于120-122℃消毒保压25-35min;
b)补料配方的培养基采用补料瓶单消的灭菌方式:将其溶于补料瓶中,于114-116℃消毒保压15-20min;
c)将培养好的种子液,以10%接种量接入以上所述基础配方的培养基中,进行发酵培养, 发酵温度采取变温控制:发酵开始至溶氧降至最低值时,温度控制在30-34℃,当溶氧开始回升至发酵结束,将温度控制在26-30℃;依据溶氧不低于20%的控制标准,将转速设为150-250rpm、通气比1:0.6-1.0VVM;在发酵的前中期,匀速补入补料配方的培养基;
步骤b)玉米浆使用前要进行预处理,将玉米浆溶于少量的水中,加热煮沸后过滤去除杂蛋白;
步骤c)补料方式采用补料瓶匀速流加的方法,补料流加速度为每小时流加发酵液初始体积的0.5-1.0%,补料量为发酵液体积的10%。
2.根据权利要求1所述的提高硫酸多粘菌素B发酵水平的方法,其特征在于:所述基础配方中小麦面粉选用低筋小麦面粉。
3.根据权利要求1所述的提高硫酸多粘菌素B发酵水平的方法,其特征在于:步骤a)所述培养基灭菌前,要进行糊化,糊化温度85-90℃,时间30-40min。
4.根据权利要求1所述的提高硫酸多粘菌素B发酵水平的方法,其特征在于:所述基础配方为每升培养基组成:小麦面粉1 0g、淀粉酶0.11g、氯化钠0.8g、氯化镁1.0g、磷酸二氢钾0.7g、碳酸钙5g,消沫剂3mL,其余为水;补料配方为每升培养基组成:蛋白胨23g、玉米浆32g、硫酸铵36g,其余为水。
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