[发明专利]四重图形的制作方法

权利要求书

1.一种四重图形的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

1)提供一基底，所述基底表面形成有硬掩膜，于所述硬掩膜表面形成第一正性光刻胶层，对所述第一正性光刻胶层进行第一光掩膜曝光，采用负性显影液去除未曝光的第一正性光刻胶层以形成第一成像图形；

2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成第一掩膜层；

3)于所述硬掩膜表面形成第二正性光刻胶层，对所述第二正性光刻胶层进行第二光掩膜曝光，采用负性显影液去除未曝光的第二正性光刻胶层以形成第二成像图形；

4)于所述第二成像图形上表面及侧壁形成第二掩膜层；

5)去除所述第一成像图形上表面的第一掩膜层及去除所述第二成像图形上表面的第二掩膜层，以显露所述第一成像图形及所述第二成像图形；

6)选择性去除所述第一成像图形及所述第二成像图形，保留位于所述第一成像图形侧壁的两第一掩膜层及位于所述第二成像图形侧壁的两第二掩膜层，以形成所述四重图形。

2.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：还包括步骤：7)基于所述第一掩膜层及所述第二掩膜层刻蚀所述硬掩膜，以将所述四重图形转移至所述硬掩膜。

3.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：所述第一成像图形及所述第二成像图形相间排布。

4.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：步骤2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成第一掩膜层包括：

2-1)对所述第一成像图形进行烘烤；

2-2)于所述第一成像图形上表面及侧壁形成烷基硅化层；

2-3)对所述烷基硅化层进行氧化处理，以在所述第一成像图形上表面及侧壁形成二氧化硅层，作为所述第一掩膜层。

5.根据权利要求4所述的四重图形的制作方法，其特征在于：步骤4)于所述第二成像图形上表面及侧壁形成第二掩膜层包括：

4-1)对所述第二成像图形进行烘烤；

4-2)于所述第二成像图形上表面及侧壁形成烷基硅化层；

4-3)对所述烷基硅化层进行氧化处理，以在所述第二成像图形上表面及侧壁形成二氧化硅层，作为所述第二掩膜层。

6.根据权利要求5所述的四重图形的制作方法，其特征在于：对所述第一成像图形及对所述第二成像图形进行烘烤包括如下反应：

7.根据权利要求6所述的四重图形的制作方法，其特征在于：于所述第一成像图形上表面及侧壁及所述第二成像图形上表面及侧壁形成烷基硅化层包括如下反应：

其中，R为烷基。

8.根据权利要求5所述的四重图形的制作方法，其特征在于：通过控制所述烷基硅化层在所述第一成像图形侧壁及所述第二成像图形侧壁的形成厚度以控制所述四重图形的关键尺寸。

9.根据权利要求8所述的四重图形的制作方法，其特征在于：通过控制所述第一掩膜层及所述第二掩膜层的形成时间及形成温度以控制其形成厚度，其中，所述形成温度不大于200℃。

10.根据权利要求5所述的四重图形的制作方法，其特征在于：通过控制所述烷基硅化层进行氧化处理的温度及时间以控制所述四重图形的关键尺寸，其中，所述温度不大于200℃。

11.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：步骤5)采用干法刻蚀工艺去除所述第一成像图形上表面的第一掩膜层及去除所述第二成像图形上表面的第二掩膜层。

12.根据权利要求1所述的四重图形的制作方法，其特征在于：步骤6)采用氧等离子体选择性去除所述第一成像图形及所述第二成像图形。