[发明专利]一种无定型硫化钼、无定型硫化钼/半导体复合薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种无定型硫化钼的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在衬底上制备得到半导体薄膜；

S2：钼源置于高温区，控制反应温度为380～500℃；硫源置于低温区，控制反应温度为150～200℃；利用化学气相沉积法在S1的半导体薄膜上沉积，即得到所述无定型硫化钼；所述钼源中钼元素和硫源中硫元素的摩尔比为1:20～1:50；所述化学气相沉积在惰性气氛下进行，气流为5～80sccm。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述衬底为导电玻璃、金属或Si片；S1中所述半导体薄膜为钒酸铋薄膜、二氧化钛薄膜、二氧化硅薄膜、二氧化锡薄膜、三氧化钨薄膜或氧化锌薄膜中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述半导体薄膜通过电化学沉积、水热法或旋涂得到。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1的衬底在制备得到半导体薄膜前还包括利用超声进行预处理的步骤。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述钼源为钼、三氧化钼或五氯化钼中的一种或几种；硫源为硫粉或硫化氢中的一种或两种。

6.一种无定型硫化钼，其特征在于，通过权利要求1～5任一所述制备方法制备得到。

7.权利要求6所述无定型硫化钼作为催化剂在催化领域中的应用。

8.一种无定型硫化钼/半导体复合薄膜，其特征在于，包括半导体薄膜和沉积在半导体薄膜上的无定型硫化钼；所述无定型硫化钼通过权利要求1～5任一所述制备方法制备得到。