[发明专利]太阳能单电池

说明书

能够提高发电效率并抑制半导体衬底与本征半导体层剥离。太阳能单电池(10)包括：具有第1主面和第2主面的n型硅衬底(20)；设置于第1主面的n型第1半导体层(22n)；设置于第1主面与第1半导体层(22n)之间的第1本征半导体层(22i)；设置于第2主面的p型第2半导体层(21p)；和设置于第2主面与第2半导体层(21p)之间的第2本征半导体层(21i)。硅衬底(20)与第2本征半导体层(21i)的界面氧浓度比硅衬底(20)与第1本征半导体层(22i)的界面氧浓度低，第2本征半导体层(22i)与第2半导体层(21p)的界面氧浓度比第1本征半导体层(22i)与第1半导体层(22n)的界面氧浓度高。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池。

背景技术

现有技术中，作为将光能转换为电能的光电转换装置，太阳能单电池的开发不断进步。太阳能单电池能够将取之不尽的太阳光直接转换为电，此外，与采用化石燃料发电相比对环境的负担小而清洁，所以作为新型能源而备受关注。

专利文献1中公开了在半导体衬底的受光面形成第一本征非晶半导体层后，在半导体衬底的非受光面形成第二本征非晶半导体层的光电转换元件(太阳能单电池)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-192764号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在太阳能单电池中，期望能在提高发电效率的同时，抑制半导体衬底与非晶半导体层剥离。

于是，本发明的目的在于提供能够在提高发电效率的同时，抑制半导体衬底与非晶半导体层剥离的太阳能单电池。

用于解决课题的方法

为了达成上述目的，本发明的一方式的太阳能单电池包括：半导体衬底，其具有第1主面和背对所述第1主面的第2主面，且由第1导电型的晶体硅形成；第1半导体层，其设置于所述第1主面上，且由第1导电型的非晶硅类薄膜形成；第1本征半导体层，其设置于所述第1主面与所述第1半导体层之间，且由本征的非晶硅类薄膜形成；第2半导体层，其设置于所述第2主面上，且由第2导电型的非晶硅类薄膜形成；和第2本征半导体层，其设置于所述第2主面与所述第2半导体层之间，且由本征的非晶硅类薄膜形成，所述半导体衬底与所述第2本征半导体层的界面处的第1氧浓度比所述半导体衬底与所述第1本征半导体层的界面处的第2氧浓度低，所述第2本征半导体层与所述第2半导体层的界面处的第3氧浓度比所述第1本征半导体层与所述第1半导体层的界面处的第4氧浓度高。

发明的效果

根据本发明，能够提供能够在提高发电效率的同时，抑制半导体衬底与非晶半导体层剥离的太阳能单电池。

附图说明

图1A是实施方式的太阳能单电池的受光面侧的俯视图。

图1B是实施方式的太阳能单电池的背面侧的俯视图。

图2是图1A的II-II线的实施方式的太阳能单电池的截面图。

图3是图1A的II-II线的实施方式的半导体衬底的截面图。

图4是表示图1A的II-II线的实施方式的半导体衬底的其他例的截面图。

图5是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的第一例的流程图。

图6是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的第二例的流程图。

图7是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的第三例的流程图。

图8是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的第四例的流程图。