[发明专利]太阳能单电池

权利要求书

1.一种太阳能单电池，其特征在于，包括：

半导体衬底，其具有第1主面和背对所述第1主面的第2主面，由第1导电型的晶体硅形成；

第1半导体层，其设置在所述第1主面上，由第1导电型的非晶硅类薄膜形成；

第1本征半导体层，其设置在所述第1主面与所述第1半导体层之间，由本征的非晶硅类薄膜形成；

第2半导体层，其设置在所述第2主面上，由第2导电型的非晶硅类薄膜形成；和

第2本征半导体层，其设置在所述第2主面与所述第2半导体层之间，由本征的非晶硅类薄膜形成，

所述半导体衬底与所述第2本征半导体层的界面处的第1氧浓度，比所述半导体衬底与所述第1本征半导体层的界面处的第2氧浓度低，

所述第2本征半导体层与所述第2半导体层的界面处的第3氧浓度，比所述第1本征半导体层与所述第1半导体层的界面处的第4氧浓度高。

2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第1氧浓度为1×10²⁰cm^-3以上且低于1×10²¹cm^-3，

所述第2氧浓度为1×10²¹cm^-3以上且低于1×10²²cm^-3，

所述第3氧浓度为1×10²¹cm^-3以上且低于1×10²²cm^-3，

所述第4氧浓度为1×10²⁰cm^-3以上且低于1×10²¹cm^-3。

3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

在俯视所述半导体衬底时，所述第2本征半导体层的面积比所述第1本征半导体层的面积大。

4.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

在所述第2本征半导体层与所述第2半导体层的界面，还具有抑制所述第2半导体层的掺杂剂扩散的扩散抑制层，

所述扩散抑制层含有氧、碳和氮。

5.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第2本征半导体层比所述第2半导体层的膜厚的偏差小。

6.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：

所述第1导电型为n型，

所述第2导电型为p型。