[发明专利]半导体结构、三维存储器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体结构、三维存储器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，其中，所述衬底上形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成衍生层，其中，所述衍生层的硬度为第一硬度；以及对所述衍生层进行处理，处理后的衍生层的硬度为第二硬度，其中，所述第二硬度大于所述第一硬度。本发明的三维存储器件的制备方法，解决了现有技术的绝缘层和牺牲层之间的衍生层容易形成缺口，从而影响三维存储器件的品质的问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体结构、三维存储器件及其制备方法。

背景技术

三维(3Dimension,3D)存储器是一种将存储单元三维地布置在衬底之上的存储设备，其具有集成密度高、存储容量大以及功耗低等优点，从而在电子产品中得到了广泛的应用。但是，现有的三维存储器件的制备方法在对堆叠结构蚀刻时以形成沟道孔时，绝缘层和牺牲层之间的衍生层容易形成缺口，从而影响三维存储器件的品质。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了三维存储器件的制备方法，解决了现有技术的绝缘层和牺牲层之间的衍生层容易形成缺口，从而影响三维存储器件的品质的问题。

本发明提供一种三维存储器件的制备方法，所述制备方法包括：

提供衬底，其中，所述衬底上形成有第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成衍生层，其中，所述衍生层的硬度为第一硬度；以及

对所述衍生层进行处理，处理后的衍生层的硬度为第二硬度，其中，所述第二硬度大于所述第一硬度。

一种实施方式中，在所述第二绝缘层上形成衍生层的同时对所述衍生层进行处理。

一种实施方式中，在所述衍生层上形成另一第一绝缘层。

一种实施方式中，所述“对所述衍生层进行处理”包括：

通过第一工艺对所述衍生层进行处理，所述第一工艺包括加热、等离子体点燃及加入反应气体中的一种或多种。

一种实施方式中，所述加热的温度为400～800度。

一种实施方式中，所述等离子体的功率为400～1900w。

一种实施方式中，所述反应气体为NH₃。

一种实施方式中，所述反应气体的流率为400～2000sccm。

一种实施方式中，通过所述第一工艺对所述衍生层处理的时间为1～4秒。

一种实施方式中，所述“通过第一工艺对所述衍生层进行处理，所述第一工艺包括加热、等离子体点燃及加入反应气体中的一种或多种”和所述“在所述衍生层上形成另一第一绝缘层”之间，所述制备方法还包括：

通过第二工艺对所述衍生层进行处理，所述第二工艺包括加热。

一种实施方式中，所述加热的温度为400～800度。

一种实施方式中，通过所述第二工艺对所述衍生层处理的时间为0.5～2秒。

一种实施方式中，在所述“在所述衍生层上形成另一第一绝缘层”之后，所述制备方法包括：

在所述另一第一绝缘层上依次形成另一第二绝缘层、另一衍生层、和另一第一绝缘层，其中，在形成所述另一衍生层时对所述另一衍生层进行处理，以使处理后的另一衍生层的硬度大于所述第一硬度；以及

多次重复以上步骤以形成半导体结构。