[发明专利]半导体结构、三维存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，其中，所述衬底上形成有第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成衍生层，其中，所述衍生层的硬度为第一硬度；以及

对所述衍生层进行处理，处理后的衍生层的硬度为第二硬度，其中，所述第二硬度大于所述第一硬度。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成衍生层的同时对所述衍生层进行处理。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衍生层上形成另一第一绝缘层。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述“对所述衍生层进行处理”包括：

通过第一工艺对所述衍生层进行处理，所述第一工艺包括加热、等离子体点燃及加入反应气体中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为400～800度。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体的功率为400～1900w。

7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体为NH₃。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体的流率为400～2000sccm。

9.如权利要求5-8任一项所述的制备方法，其特征在于，通过所述第一工艺对所述衍生层处理的时间为1～4秒。

10.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述“通过第一工艺对所述衍生层进行处理，所述第一工艺包括加热、等离子体点燃及加入反应气体中的一种或多种”和所述“在所述衍生层上形成另一第一绝缘层”之间，所述制备方法还包括：

通过第二工艺对所述衍生层进行处理，所述第二工艺包括加热。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为400～800度。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，通过所述第二工艺对所述衍生层处理的时间为0.5～2秒。

13.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述“在所述衍生层上形成另一第一绝缘层”之后，所述制备方法包括：

在所述另一第一绝缘层上依次形成另一第二绝缘层、另一所述衍生层、和另一第一绝缘层，其中，在形成所述另一衍生层时对所述另一衍生层进行处理，以使处理后的衍生层的硬度大于所述第一硬度；以及

多次重复以上步骤以形成半导体结构。

14.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底和设于所述衬底上的堆栈层，所述堆栈层包括第一绝缘层、第二绝缘层和衍生层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层交替设置，所述衍生层设于所述第二绝缘层和靠近所述第二绝缘层并位于所述第二绝缘层背离所述衬底方向上的所述第一绝缘层之间，所述衍生层的硬度与所述第二绝缘层的硬度相等或相近。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述硬度相等或相近至少包括所述衍生层的硬度与所述第二绝缘层的硬度相等。

16.一种三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件包括权利要求14或15所述的半导体结构、沟道孔和NAND串，所述沟道孔贯穿所述堆栈层，所述NAND串填充于所述沟道孔中。