[发明专利]竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法

说明书

本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。

技术领域

本文揭示的实施例涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。存储器可以个别存储器单元的一或多个阵列制造。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)写入到存储器单元或从存储器单元读取。感测线可沿阵列的列导电互连存储器单元，且存取线可沿阵列的行导电互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺乏电力的情况下存储数据达延长的时段。非易失性存储器常规地被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器消散且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同可选择状态中保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上信息层或状态。

场效晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，在其之间具有半导电沟道区。导电栅极邻近沟道区且通过薄栅极绝缘体从其分离。将合适的电压施加到栅极允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当电压从栅极移除时，在很大程度上防止电流流过沟道区。场效晶体管还可包含额外结构，例如作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆向编程的电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有快闪存储器芯片上存储的BIOS。作为另一实例，对计算机及其它装置来说，在固态驱动中利用快闪存储器替代常规硬驱动变得越来越常见。作为又另一实例，快闪存储器在无线电子装置中是流行的，这是因为其使制造商能够随着新的通信协议变得标准化而支持所述协议及提供针对增强型特征远程地更新装置的能力。

NAND可为集成快闪存储器的基础架构。NAND单元单位包括串联耦合到存储器单元的串联组合的至少一个选择装置(其中串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可配置于包括垂直堆叠式存储器单元的三维布置中，所述存储器单元包括可逆向编程的垂直晶体管。控制或其它电路可形成于垂直堆叠式存储器单元下方。

发明内容

本发明的一个方面提供一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法，其包括：形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠，所述堆叠包括所述堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有与所述绝缘层及所述字线层的组合物不同的组合物；蚀刻到所述蚀刻停止层上方的所述绝缘层及所述字线层中直到所述蚀刻停止层，以形成具有包括所述蚀刻停止层的个别基底的沟道开口；穿透所述蚀刻停止层以使所述沟道开口中的个别者延伸穿过所述蚀刻停止层；在使所述个别沟道开口延伸穿过所述蚀刻停止层之后，蚀刻到所述蚀刻停止层下方的所述绝缘层及所述字线层中且蚀刻穿过所述绝缘层及所述字线层以使所述个别沟道开口更深地延伸到所述蚀刻停止层下方的所述堆叠中；及沿所述蚀刻停止层且沿所述蚀刻停止层上方及下方的所述绝缘层及所述字线层在所述个别沟道开口中竖向地形成晶体管沟道材料。