[发明专利]竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法，其包括：

形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠，所述堆叠包括所述堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有与所述绝缘层及所述字线层的组合物不同的组合物；

蚀刻到所述蚀刻停止层上方的所述绝缘层及所述字线层中直到所述蚀刻停止层，以形成具有包括所述蚀刻停止层的个别基底的沟道开口，所述蚀刻到所述蚀刻停止层上方的所述绝缘层及所述字线层中在所述蚀刻停止层的蚀刻停止材料顶上或所述蚀刻停止材料内停止，使得所述沟道开口的所述个别基底具有包含所述蚀刻停止材料的最低表面；

穿透所述蚀刻停止层以使所述沟道开口中的个别者延伸穿过所述蚀刻停止层；

在使所述个别沟道开口延伸穿过所述蚀刻停止层之后，蚀刻到所述蚀刻停止层下方的所述绝缘层及所述字线层中且蚀刻穿过所述绝缘层及所述字线层以使所述个别沟道开口更深地延伸到所述蚀刻停止层下方的所述堆叠中；及

沿所述蚀刻停止层且沿所述蚀刻停止层上方及下方的所述绝缘层及所述字线层在所述个别沟道开口中竖向地形成晶体管沟道材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层是所述堆叠的顶部层，且所述第二层是所述堆叠的底部层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层是绝缘的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层包括包含Mg及Hf中的至少一者的氧化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物包括Mg。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物包括Hf。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物包括Mg及Hf。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物包括Al。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物包括Si。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻到所述蚀刻停止层部分地过度蚀刻到所述蚀刻停止层中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻到所述蚀刻停止层过度蚀刻到所述蚀刻停止层的不到一半的垂直厚度中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述穿透包括所述蚀刻停止层的干各向异性蚀刻。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述穿透包括所述蚀刻停止层的湿蚀刻。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述穿透包括蚀刻，所述蚀刻相对于所述个别沟道开口径向向外蚀刻所述蚀刻停止层以形成相对于所述个别沟道开口径向向外突出的环形凹部。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述个别沟道开口中形成晶体管电荷存储材料，部分所述电荷存储材料形成于所述环形凹部内。

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述个别沟道开口中形成晶体管电荷阻挡材料，部分所述电荷阻挡材料形成于所述环形凹部内。

17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述个别沟道开口中形成晶体管电荷阻挡材料及晶体管电荷存储材料，部分所述电荷阻挡材料及部分所述晶体管电荷存储材料形成于所述环形凹部内。