[发明专利]具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供载板和若干芯片，采用塑封料将所述芯片封装于所述载板的一侧，然后移除所述载板，使所述芯片的正面外露于所述塑封料；

S20、提供激光开孔阻挡层和介电层，将所述激光开孔阻挡层贴于所述芯片的正面以及将所述介电层贴于所述激光开孔阻挡层上，对所述介电层进行激光开孔处理以形成通孔，并移除通孔处的激光开孔阻挡层，使所述芯片的I/O接口外露；

S30、制作种子层和再布线层，将所述芯片电性引出与金属凸块焊接；

所述激光开孔阻挡层的原料包括：有机硅树脂、聚碳硅烷、玻璃粉以及耐热填料，所述耐热填料包括BN和/或SiO₂。

2.根据权利要求1所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述激光开孔阻挡层的厚度为5~10μm。

3.根据权利要求1所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述激光开孔阻挡层的厚度差小于5%。

4.根据权利要求1所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S10具体包括：

S10a、提供载板和临时键合层，将所述临时键合层贴于在所述载板的一侧面；

S10b、提供若干芯片，将所述芯片正面朝向远离所述载板的一侧粘贴于所述临时键合层上；

S10c、采用塑封料对所述芯片进行封装处理，塑封料固化后形成塑封层；

S10d、对所述塑封层进行研磨处理，使所述芯片的正面与所述研磨后的所述塑封层的表面平齐；

S10e、移出所述临时键合层与所述载板。

5.根据权利要求1所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S10具体包括：

S10a、提供载板和临时键合层，将所述临时键合层贴于在所述载板的一侧面；

S10b、提供若干芯片，将所述芯片正面朝向靠近所述载板的一侧粘贴于所述临时键合层上；

S10c、采用塑封料对所述芯片进行封装处理，塑封料固化后形成塑封层；

S10d、移出所述临时键合层与所述载板；

S10e、采用等离子清洗所述芯片的正面。

6.根据权利要求4所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S30具体包括：

S30a、通过电镀、化学镀或者PVD的方式在所述通孔内和所述介电层上制作种子层；

S30b、提供感光干膜，将所述感光干膜贴附于所述种子层上；

S30c、通过曝光、显影处理，在所述感光干膜上形成使部分所述种子层外露的图形化孔，并使所述图形化孔至少与所述芯片的I/O接口位置对应；

S30d、对所述图形化孔进行电镀处理，在所述图形化孔内形成再布线层；

S30e、去除残留的感光干膜，使部分种子层外露；

S30f、对外露的所述种子层进行蚀刻处理，去除该种子层；

S30g、在所述介电层远离所述塑封层的一面涂覆感光油墨，使所述感光油墨覆盖所述介电层和所述再布线层；通过曝光、显影、固化处理，形成具有图形化孔的阻焊层，所述再布线层的焊盘区外露于所述阻焊层；

S30h、提供金属凸块，将所述金属凸块植入所述焊盘区。

7.根据权利要求6所述的具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S30a具体为：通过电镀、化学镀或者PVD的方式在所述通孔内和所述介电层上依次制作钛金属层和铜金属层，所述钛金属层和所述铜金属层形成所述种子层。

8.一种具有激光开孔阻挡层的扇出型封装结构，其特征在于，采用权利要求1至7任一项所述的制备方法制得。