[发明专利]一种少层MXenes的快速制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910840634.0 申请日: 2019-09-06
公开(公告)号: CN110534741B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 韩伟强;张顺龙 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01M4/587 分类号: H01M4/587;H01M4/62;H01M10/04;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 mxenes 快速 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,制备方法包括如下步骤:

(1)取MAX原料,在刻蚀液中处理,得到多层的MXenes材料;

(2)将步骤(1)得到的MXenes材料在有机分子或表面活性剂中处理;

(3)将步骤(2)得到的MXenes材料进行离心、洗涤沉淀、剥离处理,弃沉淀,收集上清液,得到少层的MXenes溶液;

(4)将含有铵根离子的电解质溶液加入到步骤(3)得到的MXenes溶液中,静电聚沉,静置或低速离心或抽滤,所得溶胶、或沉淀、或滤饼即为少层的MXenes材料;所述的含有铵根离子的电解质溶液是碳酸氢铵、氨水、碳酸铵、硝酸铵、硫酸铵、溴化铵、氯化铵、氟化铵溶液中的一种或多种的组合;

(5)将步骤(4)得到的材料冷冻干燥、退火处理,得到少层MXenes的粉体。

2.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(1)中MXenes材料是Ti4C3、Ti4N3、Ti3C2、Ti2C、Mo2C、Hf3C2、V3C2、V2C、V2N、Nb4C3、Nb3C2、Nb2C、Cr3C2、Ta2C、Ta4C3、(Ti0.5Nb0.5)C中的一种或多种的组合。

3.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(1)中的刻蚀液为HF、LiF和HCl、NaF和H2SO4、其他含F盐和酸的混合液中的一种或多种的组合。

4.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(2)中的有机分子是四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、水合肼、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、N-甲基甲酰胺、乙醇的一种或多种的组合。

5.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(2)中的表面活性剂是十烷基三甲基溴化铵、十二烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基氯化铵、聚乙烯吡咯烷酮、F127中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(3)中的剥离处理是机械摇晃、超声、细胞粉碎中的一种或多种的组合,MXenes溶液采用的溶剂是水、乙醇、丙酮中的一种或多种的组合。

7.如权利要求1所述的一种少层MXenes的快速制备方法,其特征在于,步骤(5)中的退火温度为70℃-700℃。

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