[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号: | 201910840454.2 | 申请日: | 2019-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN112466894A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 李新辉;曾汉良;林学荣;李金政 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙乳笋;周永君 |
| 地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
一基板,其中该基板具有多个像素;以及
一光准直层,设置于该基板之上;
其中该光准直层包括:
一遮光层,设置于该基板之上;
多个透明柱体,设置于该遮光层中,其中该多个透明柱体覆盖该多个像素;以及
多个光学微透镜,设置于该多个像素之上。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该多个透明柱体位于该多个光学微透镜与该多个像素之间。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,该多个透明柱体由一第一材料形成,该多个光学微透镜由一第二材料形成,且该第一材料不同于该第二材料。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,该多个光学微透镜的一折射率大于该多个透明柱体的一折射率。
5.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,更包括:
一透明材料层,设置于该多个透明柱体与该基板之间。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,该透明材料层由该第一材料形成。
7.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该多个光学微透镜位于该多个透明柱体与该多个像素之间。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,该多个光学微透镜位于该遮光层中。
9.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,该多个透明柱体直接接触该多个光学微透镜的顶表面。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,该多个透明柱体具有内凹的底部轮廓。
11.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,该多个透明柱体由一第一材料形成,该多个光学微透镜由一第二材料形成,且该第一材料不同于该第二材料。
12.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,该多个光学微透镜的一折射率大于该多个透明柱体的一折射率。
13.如权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,更包括:
一透明材料层,设置于该多个光学微透镜与该基板之间。
14.如权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,该透明材料层由该第一材料形成。
15.一种半导体装置的形成方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中该基板具有多个像素;
于该多个像素上形成多个透明柱体;
于该基板上形成一遮光层,其中该遮光层围绕该多个透明柱体;以及
于该多个像素上形成多个光学微透镜。
16.如权利要求15所述的半导体装置的形成方法,其特征在于,在形成该多个透明柱体的步骤之前,更包括:
形成一透明材料层于该基板之上,其中该多个透明柱体形成于该透明材料层之上。
17.如权利要求15所述的半导体装置的形成方法,其特征在于,在形成该多个透明柱体的步骤之后形成该多个光学微透镜,且该多个光学微透镜形成于该多个透明柱体之上。
18.如权利要求15所述的半导体装置的形成方法,其特征在于,在形成该多个透明柱体的步骤之前形成该多个光学微透镜,且该多个透明柱体形成于该多个光学微透镜之上。
19.如权利要求18所述的半导体装置的形成方法,其特征在于,该遮光层围绕该多个光学微透镜。
20.如权利要求18所述的半导体装置的形成方法,其特征在于,该多个透明柱体直接接触该多个光学微透镜的顶表面,且该多个透明柱体具有内凹的底部轮廓。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





