[发明专利]晶圆清洁装置

说明书

本申请公开了一种晶圆清洁装置，该晶圆清洁装置包括：晶圆放置机构，用于夹持晶圆的边缘并带动晶圆旋转；第一喷头，位于晶圆放置机构的一侧，用于向上喷射清洁剂至晶圆的背面；以及清洁刷和导轨，位于晶圆放置机构的一侧，清洁刷与导轨活动连接，清洁刷可相对导轨移动，用于清洁晶圆的背面。通过该晶圆清洁装置对晶圆背面进行清洗，可以使得晶圆背面的污染物同时受到清洁刷的剪切力与自身的重力影响，从而更加容易被移出晶圆背面，增强了清洁效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种晶圆清洁装置。

背景技术

存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。

3D存储器件的尺寸越来越小，对于光刻步骤的精准度要求也越来越高，为了保证光刻精准度，需要提前对晶圆进行清理。

在现有技术中，晶圆的清洁步骤十分繁琐，需要先从晶圆箱(front openingunified pod，FOUP)中将晶圆取出，翻转晶圆，使得晶圆背面朝上，放入第一清洁腔室中，对晶圆背面进行清洗；然后，将晶圆取出，再次翻转，使得晶圆正面朝上，放入第二清洁腔室中，对晶圆正面进行清洗。由于繁琐的清洁步骤，使得清洁效率很低，并且在翻转晶圆时，容易出现误操作，使得晶圆的朝向出现错误，进而影响后续工艺的进程。

此外，由于位于晶圆背面的污染物可能会与晶圆粘连，不容易将污染物完全清除，从而对后续光刻工艺的对焦造成影响。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种晶圆清洁装置，通过该晶圆清洁装置对晶圆背面进行清洗，可以使得晶圆背面的污染物同时受到清洁刷的剪切力与自身的重力影响，从而更加容易被移出晶圆背面，增强了清洁效果。

本发明实施例提供了一种晶圆清洁装置，包括：晶圆放置机构，用于夹持晶圆的边缘并带动晶圆旋转；第一喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向上喷射清洁剂至所述晶圆的背面；以及清洁刷和导轨，位于所述晶圆放置机构的一侧，所述清洁刷与所述导轨活动连接，所述清洁刷可相对所述导轨移动，用于清洁所述晶圆的背面。

优选地，还包括驱动单元，与所述晶圆放置机构转动连接。

优选地，所述晶圆放置机构包括：环状第一支架，与所述驱动单元转动连接：以及夹持部，安装在所述第一支架上，位于所述第一支架的内侧。

优选地，还包括：第二喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向所述晶圆的正面提供清洁剂；第三喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向所述晶圆的正面提供冲洗剂；以及摆臂，一端与所述第三喷头连接，并以另一端为摆动中心摆动，以带动所述第三喷头移动。

优选地，所述摆臂的一端具有伸缩部，与所述第三喷头连接。

优选地，还包括第二支架，所述第二喷头与所述摆臂安装在所述第二支架上。

优选地，所述摆臂的内部具有中空结构，与所述第三喷头连通。

优选地，还包括输气管路，与所述第三喷头连通。

优选地，所述清洁剂包括二氧化碳水溶液，所述清洗剂包括氮气纳米喷雾。

优选地，还包括底座，所述晶圆放置机构、所述第一喷头以及所述导轨安装于所述底座上。

优选地，还包括升降机构，一端与所述清洁刷固定连接，另一端与所述导轨活动连接。