[发明专利]晶圆清洁装置有效
| 申请号： | 201910840186.4 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110707022B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朱焜;顾立勋;夏余平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洁 装置 | ||
1.一种晶圆清洁装置，其特征在于，包括：
晶圆放置机构，用于夹持晶圆的边缘并带动晶圆旋转；
第一喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向上喷射清洁剂至所述晶圆的背面；以及
清洁刷和导轨，位于所述晶圆放置机构的一侧，所述清洁刷与所述导轨活动连接，所述清洁刷可旋转并相对所述导轨移动，用于清洁所述晶圆的背面，
在清洁的过程中，所述清洁刷旋转并从晶圆的中心移动到晶圆的边缘，以使晶圆背面的污染物同时受到所述清洁刷的剪切力与自身的重力而脱落。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括驱动单元，与所述晶圆放置机构转动连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述晶圆放置机构包括：
环状第一支架，与所述驱动单元转动连接：以及
夹持部，安装在所述第一支架上，位于所述第一支架的内侧。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括：
第二喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向所述晶圆的正面提供清洁剂；
第三喷头，位于所述晶圆放置机构的一侧，用于向所述晶圆的正面提供冲洗剂；以及
摆臂，一端与所述第三喷头连接，并以另一端为摆动中心摆动，以带动所述第三喷头移动。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述摆臂的一端具有伸缩部，与所述第三喷头连接。
6.根据权利要求4所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括第二支架，所述第二喷头与所述摆臂安装在所述第二支架上。
7.根据权利要求4所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述摆臂的内部具有中空结构，与所述第三喷头连通。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括输气管路，与所述第三喷头连通。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洁装置，其特征在于，所述清洁剂包括二氧化碳水溶液，所述冲洗剂 包括氮气纳米喷雾。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括底座，所述晶圆放置机构、所述第一喷头以及所述导轨安装于所述底座上。
11.根据权利要求10所述的晶圆清洁装置，其特征在于，还包括升降机构，一端与所述清洁刷固定连接，另一端与所述导轨活动连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
