[发明专利]一种通用闪存存储器主机端芯片装置以及设备

说明书

本发明公开了一种通用闪存存储器主机端芯片装置以及设备。其中，所述装置包括一用于通用闪存存储器协议解析的数字电路模块和至少两个用于处理高速信号的通用闪存存储器物理层模块，假设该至少两个通用闪存存储器物理层模块的个数是n个，这样支持的最高容量是1*n颗的通用闪存存储器UFS从设备或2*n颗通用闪存存储器UFS从设备的容量之和，能达到的最高性能是2路接口并行的读写性能，能够实现提高支持的最高容量，同时又提高了读写性能。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种通用闪存存储器主机端芯片装置以及设备。

背景技术

UFS(Universal Flash Storage，通用闪存存储器)主机端芯片装置是指所有能读写通用闪存存储器的芯片，包括将UFS接口转换成其他接口的接口转换芯片例如UFS读卡器等。

现有的通用闪存存储器UFS主机端芯片装置，一般包括负责UFS协议解析的数字电路模块和负责高速信号处理的模拟电路模块即UFS物理层(PHY)模块。该数字电路模块和该UFS物理层模拟电路模块这两个模块之间通过RMMI(Reference M-PHY MODULE Interface，参考M-PHY模块接口)连接，该UFS物理层模拟电路模块会提供连接UFS存储器的高速差分信号接口。

现有的UFS标准规范定义的UFS主机和UFS从设备都是可以支持1路或2路UFS通信接口，那么一个UFS主机最多可以连接2颗支持1路接口的UFS从设备，支持的最高容量就是2颗UFS从设备的总容量。为了达到最高的性能，一个UFS主机可以连接一颗支持2路接口的UFS从设备，最高性能就是2路接口并行的读写性能。

但是，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有的通用闪存存储器UFS主机端芯片装置，只支持连接一颗或两颗通用闪存存储器，支持的最高容量有限制。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种通用闪存存储器主机端芯片装置以及设备，能够实现提高支持的最高容量，同时又提高了读写性能。

根据本发明的一个方面，提供一种通用闪存存储器主机端芯片装置，包括一用于通用闪存存储器协议解析的数字电路模块和至少两个用于处理高速信号的通用闪存存储器物理层模块。

其中，所述一数字电路模块与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块相串联连接。

其中，所述通用闪存存储器主机端芯片装置，还包括：

一多路选择器；

所述至少两个通用闪存存储器物理层模块的参考M-PHY模块接口经过所述多路选择器之后连接到所述数字电路模块的参考M-PHY模块接口。

其中，所述通用闪存存储器主机端芯片装置还包括至少一个用于通用闪存存储器协议解析的数字电路模块，所述至少一个数字电路模块与所述一数字电路模块是相同的电路模块，所述至少一个数字电路模块与所述一数字电路模块相加的和与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块的数量相同，所述至少一个数字电路模块与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块一对一相连接，所述一数字电路模块与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块一对一相连接。

其中，所述至少一个数字电路模块与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块一对一相并联连接，所述一数字电路模块与所述至少两个通用闪存存储器物理层模块一对一相并联连接。

其中，所述通用闪存存储器主机端芯片装置还包括至少一个用于通用闪存存储器协议解析的数字电路模块，所述至少一个数字电路模块都有至少一个通用闪存存储器物理层模块通过多路选择器相连接，所述一数字电路模块都有至少一个通用闪存存储器物理层模块通过多路选择器相连接。