[发明专利]一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路在审
| 申请号： | 201910838249.2 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110534579A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 钱凌轩;邢志阳;张怡宇;李雪松;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李亚男<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 石墨烯层 电介质层 漏电极 源电极 栅电极 制备 异质结场效应晶体管 半导体器件技术 传统石墨 底栅结构 石墨烯基 输出特性 开关比 可饱和 迁移率 衬底 顶栅 射频 沉积 集成电路 应用 制造 | ||
1.一种石墨烯基异质结场效应晶体管，包括衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，其特征在于，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之间。
2.根据权利要求1所述的石墨烯基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料为ZnO、InGaZnO、Ga2O3、Cu2O、SnO或NiO。
3.根据权利要求2所述的石墨烯基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体为n型或p型。
4.根据权利要求1所述的石墨烯基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述电介质层的材料为SiO2、Si3N4、BN、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2或者Y2O3的一种或多种组合。
5.根据权利要求1所述的石墨烯基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述石墨烯层为单层、双层或多层；所述源电极和漏电极为单层或多层结构；所述衬底的材料为硅、二氧化硅、碳化硅、玻璃或者高分子聚合物。
6.根据权利要求1-5任一项所述的石墨烯基异质结场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管采用底栅型结构或顶栅型结构。
7.权利要求1-6任一项所述的石墨烯基异质结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
底栅型结构：在衬底上形成栅电极；在栅电极与衬底上沉积形成电介质层；在电介质层上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层的两端分别形成源电极和漏电极；
顶栅型结构：在衬底上的两端分别形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层形成石墨烯层；在石墨烯层上沉积形成电介质层；在电介质层上形成栅电极。
8.权利要求7所述的石墨烯基异质结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，形成石墨烯层的方式为化学气相沉积法生长并转移或机械剥离法。
9.权利要求7所述的石墨烯基异质结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，还对石墨烯层和氧化物半导体层进行图案化处理。
10.一种集成电路，包括权利要求7制备得到的石墨烯基异质结场效应晶体管。
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