[发明专利]晶圆切割晶片数计算方法及计算设备

说明书

本申请涉及一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备，该计算方法包括：建立二维坐标系，确定晶片分布阵列；任定定点晶片，按较大的第一步进值在定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并取有效晶片数最大的晶圆中心作为可行位置；通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域；按较小的第二步进值在可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数，以最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。通过启发算法的思想，快速确定可行区域，缩小搜索范围，然后在可行区域内精准搜索，确定最大晶片数，由此缩短计算时间。

技术领域

本发明涉及半导体切割工艺领域，尤其涉及一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备。

背景技术

在对晶圆进行加工前，需要明确晶圆的切割图案及能够切割的有效晶片(die)的数量，每一晶片在加工后可切割成一单独的芯片。为了节省成本，增加产量，需要合理设计晶圆的切割图案以获取最大的有效晶片数量。目前，常通过以下公式得到晶圆上有效晶片的数量X，即然而，通过该公式计算得到的数据并不精确，与晶圆实际能够切割的最大晶片数量存在偏差。也有通过步进算法(stepping algorithms)来计算晶圆上有效晶片的数据，然而该计算过程复杂且耗时较长。

发明内容

基于此，本申请提出一种晶圆切割晶片数计算方法及其计算设备，有利于实现快速精确地计算出晶圆可切割的最大晶片数。

为解决上述技术问题，本申请提出一种技术方案：晶圆切割晶片数计算方法，包括：

建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

上述晶圆切割晶片数计算方法，先根据已知的晶片尺寸确定晶片分布阵列，可以理解的，在晶片分布阵列中，各相邻晶片之间仅存在最小的切割间隙，在确定坐标系后，各个晶片中心坐标也确定。以较大的第一步进值在定点晶片内进行搜索，以搜索的每个点作为晶圆中心并确定晶圆在晶片分布阵列中的第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域内的有效晶片数，选出有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置，通常会存在多个可行位置，利用连接线将多个可行位置连接形成可行区域，根据启发式算法的机制，将当前最大的有效晶片数记为第一有效晶片数，若晶圆中心处于其他区域时还存在比第一有效晶片数更大的有效晶片数，那么，能取得更大有效晶片数的晶圆中心极有可能位于该可行区域内。因此，在确定可行区域后，在可行区域内按照较小的第二步进值进一步搜索整个可行区域，以可行区域搜索的各个点为晶圆中心再次确定晶圆的第二覆盖区域，比较各第二覆盖区域内的有效晶片数，最大有效晶片数即为最佳切割晶片数。在本申请中，先以较大的第一步进值快速确定可行区域，只在可行区域内进行精准搜索，缩小精准搜索的范围，然后以较小的第二步进值精确搜索可行区域，判断是否具有更优值，从而大大缩短计算时间。

在其中一个实施例中，所述确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，包括：

将所述定点晶片均匀划分为多个区间，各所述区间呈正方形且各所述区间的边长等于所述第一步进值，分别以每个区间的对角点作为晶圆中心确定晶圆的各第一覆盖区域。