[发明专利]晶圆切割晶片数计算方法及计算设备

权利要求书

1.一种晶圆切割晶片数计算方法，其特征在于，包括：

建立二维坐标系，根据晶片的尺寸在所述二维坐标系中确定晶片分布阵列；

任选一晶片作为定点晶片，确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，计算各第一覆盖区域的有效晶片数并进行比较，取有效晶片数最大的第一覆盖区域的晶圆中心作为可行位置；

通过连接线连接位于相邻晶圆中心处的可行位置，形成可行区域，所述可行区域包括连接线以及所述连接线围合的区域；

确定第二步进值，所述第二步进值小于所述第一步进值，按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，以各第二覆盖区域的有效晶片数中的最大有效晶片数作为最佳切割晶片数。

2.如权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述确定第一步进值，按所述第一步进值在所述定点晶片内移动晶圆中心并确定晶圆的各第一覆盖区域，包括：

将所述定点晶片均匀划分为多个区间，各所述区间呈正方形且各所述区间的边长等于所述第一步进值，分别以每个区间的对角点作为晶圆中心确定晶圆的各第一覆盖区域。

3.如权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述可行区域还包括与所述连接线的距离小于预设距离的区域，所述预设距离等于所述第一步进值的一半。

4.如权利要求1至3任一项所述的计算方法，其特征在于，所述按所述第二步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定晶圆的各第二覆盖区域，计算各第二覆盖区域的有效晶片数并进行比较，包括：

以所述第二步进值为当前步进值在所述可行区域内移动晶圆中心并确定当前第二覆盖区域，计算当前第二覆盖区域的有效晶片数，若当前第二覆盖区域的有效晶片数大于第一覆盖区域的最大有效晶片数，标记当前第二覆盖区域的晶圆中心为较佳中心，比较各第二覆盖区域的有效晶片数。

5.如权利要求4所述的计算方法，其特征在于，当找到两个所述较佳中心时，所述方法还包括：

计算两个所述较佳中心之间的间距，若两个所述较佳中心之间的间距大于第二步进值，则增大步进值且增大后的步进值不超过两个所述较佳中心之间的间距，以增大后的步进值作为当前步进值移动晶圆中心并继续确定晶圆的第二覆盖区域直至完成所述可行区域的搜索。

6.如权利要求1至3任一项所述的计算方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定曝光机单次曝光区域内的晶片位置分布图案，分别以所述定点晶片位于所述单次曝光区域内的不同晶片位置确定不同的曝光方式；

取具有所述最佳切割晶片数的晶圆覆盖区域为优选晶圆覆盖区域，计算分别采用各所述曝光方式对所述优选晶圆覆盖区域内的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次数，获取最少的曝光次数，以具有最少曝光次数的曝光方式作为所述优选晶圆覆盖区域内的有效晶片的最佳曝光方式。

7.如权利要求6所述的计算方法，其特征在于，当所述优选晶圆覆盖区域有多个时，且各所述优选晶圆覆盖区域所需的最少曝光次数相同时，所述方法还包括：

确定优选晶圆覆盖区域内有效晶片覆盖区域的边缘，计算各所述优选晶圆覆盖区域边缘与内部的有效晶片覆盖区域边缘的距离，选取距离最大的优选晶圆覆盖区域作为最佳晶圆覆盖区域。