[发明专利]垂直存储器件以及用于制造其的方法

说明书

本发明公开了一种垂直存储器件以及用于制造其的方法。垂直存储器件包括：衬底、在单元阵列区中垂直层叠在所述衬底上的多个栅电极、以及在接触区中形成在所述衬底上的多个多层焊盘部分。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：下焊盘、与所述下焊盘垂直间隔开的上焊盘、形成在所述下焊盘和所述上焊盘之间的缓冲焊盘、以及将所述下焊盘和所述上焊盘互连的焊盘互连部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月21日提交的申请号为10-2018-0114074的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种垂直存储器件以及用于制造该垂直存储器件的方法。

背景技术

最近，正在开发存储单元被层叠在衬底上的垂直存储器件。垂直存储器件包括具有不同高度的接触插塞，以将存储单元彼此电连接。

发明内容

根据本教导的一个实施例，一种垂直存储器件包括：衬底，在单元阵列区中垂直层叠在衬底上的多个栅电极；以及在接触区中形成在衬底上的多个多层焊盘部分。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：下焊盘；与下焊盘垂直间隔开的上焊盘；形成在下焊盘和上焊盘之间的缓冲焊盘；以及将下焊盘和上焊盘互连的焊盘互连部分。

另外，根据本教导的一个实施例，一种用于制造垂直存储器件的方法包括：在单元阵列区和接触区中形成在衬底上交错的多个电介质层和多个牺牲层；以及形成阶梯式结构，其中通过对接触区中的电介质层和牺牲层进行图案化来暴露牺牲层。该方法还包括：在阶梯式结构的被暴露的牺牲层上形成包括牺牲材料的多个多层牺牲结构；以及在牺牲结构上形成覆盖层，其中覆盖层包括多个气隙，所述多个气隙分别将所述多个多层牺牲结构中的多层牺牲结构的多个层互连。该方法还包括用多个栅电极来替换单元阵列区中的牺牲层，以及用多个多层焊盘部分来替换接触区中的牺牲层、气隙和多层牺牲结构。该方法还包括形成多个接触插塞，其中所述多个接触插塞中的接触插塞分别耦接至所述多层焊盘部分中的多层焊盘部分。

附图说明

图1示出了图示根据本教导的实施例的半导体器件的截面图。

图2示出了图示焊盘部分的修改示例的截面图。

图3A至3C示出了图示焊盘部分的其他修改示例的截面图。

图4A和4B图示了垂直存储器件。

图5A至5P示出了描述用于制造垂直存储器件的方法的示例的截面图。

图6A和6B示出了图示根据比较示例的焊盘部分的截面图。

具体实施方式

下面参考附图详细地描述本教导的实施例。然而，本教导可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。提供所呈现的实施例以使得本公开将使本领域技术人员能够在不进行过度实验的情况下实践本教导。在整个公开中，相似的附图标记指代在各个附图中图示的相似部件。

附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，可能夸大相对比例以便清楚地图示实施例的特征。当第一层被称为在第二层“上”或在衬底“上”时，它不仅指第一层直接形成在第二层或衬底上的情况，而且还指在第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情况。

本公开的各种实施例涉及具有改进的可靠性的垂直存储器件和用于制造该垂直存储器件的方法。对于各种实施例，垂直存储器件具有垂直定向的存储器串，以使得至少一个存储单元位于另一个存储单元上。这种类型的阵列允许垂直缩放，以提供每单位面积的硅或其他半导体材料的更高密度的存储单元。