[发明专利]垂直存储器件以及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

衬底；

在单元阵列区中垂直层叠在所述衬底上的多个栅电极；以及

在接触区中形成在所述衬底上的多个多层焊盘部分，其中，所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸，并且其中，所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：

下焊盘；

与所述下焊盘垂直间隔开的上焊盘；

形成在所述下焊盘和所述上焊盘之间的缓冲焊盘；以及

将所述下焊盘和所述上焊盘互连的焊盘互连部分。

2.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述多层焊盘部分比所述栅电极厚。

3.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述缓冲焊盘比所述下焊盘薄，并且比所述上焊盘薄。

4.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述下焊盘和所述上焊盘包括导电材料，并且其中所述缓冲焊盘包括电介质材料。

5.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述下焊盘和所述上焊盘具有相同的厚度，并且其中，所述下焊盘和所述上焊盘每个都比所述多个栅电极中的每个栅电极薄。

6.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述多层焊盘部分形成为阶梯式结构来。

7.如权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述栅电极和所述多层焊盘部分由相同的材料形成。

8.如权利要求1所述的垂直存储器件，还包括多个垂直沟道结构，所述垂直沟道结构在垂直于所述衬底的上表面的方向上延伸，并穿透所述栅电极。

9.如权利要求1所述的垂直存储器件，还包括在所述多个栅电极之间交错的多个电介质层。

10.如权利要求1所述的垂直存储器件，还包括覆盖所述多层焊盘部分的覆盖层。

11.如权利要求1所述的垂直存储器件，还包括多个接触插塞，其中，所述多个接触插塞中的接触插塞分别耦接至所述多个多层焊盘部分中的多层焊盘部分。

12.一种用于制造垂直存储器件的方法，所述方法包括：

在单元阵列区和接触区中形成在衬底上交错的多个电介质层和多个牺牲层；

形成阶梯式结构，其中通过对所述接触区中的所述电介质层和所述牺牲层进行图案化来暴露所述牺牲层；

在所述阶梯式结构的被暴露的所述牺牲层上形成包括牺牲材料的多个多层牺牲结构；

在所述牺牲结构上形成覆盖层，其中，所述覆盖层包括多个气隙，所述多个气隙分别将所述多个多层牺牲结构中的多层牺牲结构的多个层互连；

用多个栅电极来替换所述单元阵列区中的所述牺牲层；

用多个多层焊盘部分来替换所述接触区中的所述牺牲层、所述气隙和所述多层牺牲结构；以及

形成多个接触插塞，其中，所述多个接触插塞中的接触插塞分别耦接至所述多层焊盘部分中的多层焊盘部分。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述多层焊盘部分比所述栅电极厚。

14.如权利要求12所述的方法，其中，用多个多层焊盘部分来替换所述接触区中的所述牺牲层、所述气隙和所述多层牺牲结构包括：

通过替换所述牺牲层和所述牺牲材料来形成下焊盘和上焊盘，所述下焊盘与所述上焊盘垂直间隔开；以及

通过填充所述气隙来形成焊盘互连部分，以将所述下焊盘和所述上焊盘互连。