[发明专利]大板扇出型芯片封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910831913.0 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110648924A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 崔成强;雷珍南;杨斌;李潮;匡自亮 申请(专利权)人: 广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 陈志超;黄家豪
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 导热材料层 临时键合 胶层 顶面 封装材料层 散热胶层 芯片封装结构 介电材料层 金属线路层 依次设置 扇出型 大板 底面 去除 载板 制作
【说明书】:

发明提供了一种大板扇出型芯片封装结构及其制作方法,该方法包括以下步骤:S101、在载板上设置临时键合胶层,并在所述临时键合胶层上设置多个芯片,其中,所述芯片包括底面以及顶面,所述芯片的顶面设置有I\O端,所述芯片的顶面与所述临时键合胶层接触;S102、在每一所述芯片的底面上设置散热胶层,并在所述散热胶层以及所述临时键合胶层上设置导热材料层,所述导热材料层将每一所述芯片包裹在内;S103、在所述导热材料层上设置封装材料层;S104、去除所述载板以及所述临时键合胶层以露出所述导热材料层以及芯片的顶面;S105、在所述导热材料层的背向所述封装材料层的一面上以及芯片的顶面上依次设置介电材料层以及金属线路层。

技术领域

本发明涉及芯片封装领域,具体涉及一种大板扇出型芯片封装结构及其制作方法。

背景技术

近年来,大板级扇出型封装技术取得了长足的进展,大板级扇出型封装技术具有表面积小、厚度小、管脚数密度高、较低的热阻抗、电气性能优异,制造成本低等特点,可更好满足终端市场对产品效能和体积的需求。

随着大板级扇出型封装技术的发展,芯片密度更大、尺寸更小的封装结构不断涌现。现有的大板级扇出型封装结构还存在散热能力不足的问题,严重影响了半导体芯片的质量及性能。此外,现有的大板级扇出型封装结构还存在其散热结构制造效率低的问题。

因此,现有技术存在缺陷,急需改进。

发明内容

本发明的目的是提供一种大板扇出型芯片封装结构及其制作方法,可以提高散热效果。

本发明提供一种大板扇出型芯片封装结构的制作方法,包括以下步骤:

S101、在载板上设置临时键合胶层,并在所述临时键合胶层上设置多个芯片,其中,所述芯片包括底面以及顶面,所述芯片的顶面设置有I\O端,所述芯片的顶面与所述临时键合胶层接触;

S102、在每一所述芯片的底面上设置散热胶层,并在所述散热胶层以及所述临时键合胶层上设置导热材料层,所述导热材料层将每一所述芯片包裹在内;

S103、在所述导热材料层上设置封装材料层;

S104、去除所述载板以及所述临时键合胶层以露出所述导热材料层以及芯片的顶面;

S105、在所述导热材料层的背向所述封装材料层的一面上以及芯片的顶面上依次设置介电材料层以及金属线路层。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述多个芯片的数量为多个,该多个芯片间隔设置于所述临时键合胶层上;

而所述步骤S105之后还包括:

将所述步骤S105得到的封装结构切割得到多个封装结构单体,每一所述封装结构单体均包括一个所述芯片。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述介电材料层上开设有通孔以将所述I\O端露出。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述散热胶层包括以下材料中的至少两种:石墨烯、硅胶、硅脂、甲基乙烯基聚硅氧烷混合物、甲基氢基聚硅氧烷混合物以及氧化铝。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述介电材料可为ABF、BCB或PI。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述金属线路层上还设置有油墨层,所述油墨层经过图形化处理以将所述金属线路层的焊盘露出;所述焊盘上设置有导电金属球。

在本发明所述的大板扇出型芯片封装结构的制作方法中,所述导热材料层为预先成型金属导热件。

一种大板扇出型芯片封装结构,包括:

一介电材料层;

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