[发明专利]一种砷化镓背侵的去除方法

说明书

本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。本发明方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵，首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。

技术领域

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种砷化镓背侵的去除方法。

背景技术

砷化镓(GaAs)晶片是重要的化合物半导体材料之一，应用领域主要分为微电子领域和光电子领域，砷化镓晶片的表面质量至关重要。砷化镓晶片的加工工序一般包括切片、磨边、研磨、抛光、清洗等，但是在研磨、抛光和清洗加工工序中容易造成砷化镓晶片背侵。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种砷化镓背侵的去除方法以去除在研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种砷化镓(GaAs)背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：

(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；

(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧化钠；

(3)将步骤(2)处理后的砷化镓晶片用去离子水冲洗后干燥。

上述去除方法通过将砷化镓晶片用有机溶剂和水清洗后在化学腐蚀液中腐蚀清洗，通过改变化学腐蚀液的成分，发现由氢氧化钾、过氧化氢和水组成的化学腐蚀液或者由氢氧化钠、过氧化氢和水组成的化学腐蚀液通过腐蚀清洗可以去除砷化镓背侵。

优选地，所述化学腐蚀液中碱的质量浓度为3％-15％，化学腐蚀液中过氧化氢的质量浓度为2％-20％。

当化学腐蚀液中碱的质量浓度为3％-15％，化学腐蚀液中过氧化氢的质量浓度为2％-20％时，对砷化镓背侵的去除效果更好。

优选地，所述化学腐蚀液中过氧化氢的质量浓度为4％-8％。

当化学腐蚀液中过氧化氢的质量浓度为4％-8％时，对砷化镓背侵的去除效果更好。

优选地，化学腐蚀液中碱的质量浓度为5％-10％。

当化学腐蚀液中碱的质量浓度为5％-10％时，对砷化镓背侵的去除效果更好。

优选地，所述步骤(2)中，腐蚀清洗的时间为1分钟-5分钟，腐蚀清洗的温度为10℃-20℃。

优选地，所述有机溶剂为乙醇或者乙醇水溶液。

优选地，所述步骤(1)中，有机溶剂中浸洗的时间为20min-30min，浸洗的温度为10℃-40℃。

优选地，所述步骤(1)中，去离子水冲洗的方式为溢流漂洗、快排冲水相结合。

优选地，所述步骤(2)中，腐蚀清洗的方式为匀速震荡腐蚀清洗、兆声波辅助腐蚀清洗或者超声波辅助腐蚀清洗。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，本发明方法能够去除研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵，首次解决了研磨、抛光和清洗加工工序中造成的砷化镓晶片背侵问题。

附图说明

图1为本发明实施例的砷化镓背侵的去除方法的应用效果图。其中，(a)为在砷化镓晶片加工工序后产生背侵的砷化镓晶片，(b)为本发明实施例的砷化镓背侵的去除方法应用后的砷化镓晶片。