[发明专利]神经网络智能芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种神经网络智能芯片，其特征在于，包括：

计算模块，所述计算模块包括若干逻辑单元和若干缓存单元，所述逻辑单元和所述缓存单元一一对应连接，所述逻辑单元用于对对应的所述缓存单元进行读/写数据操作；

存储模块，包括若干存储单元，至少一个所述存储单元与至少一个所述缓存单元对应连接。

2.根据权利要求1所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述若干逻辑单元和所述若干缓存单元形成于同一逻辑基底内，所述逻辑单元和缓存单元之间通过形成于所述逻辑基底内的互连电路形成电连接。

3.根据权利要求1所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述若干存储单元形成于单层存储基底或多层堆叠连接的存储基底内。

4.根据权利要求2或3所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述存储基底和逻辑基底堆叠连接。

5.根据权利要求4所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述存储基底与所述逻辑基底之间通过键合形成电连接。

6.根据权利要求4所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述存储基底与所述逻辑基底内均形成有互连结构，所述存储基底与所述逻辑基底之间通过所述互连结构实现电连接。

7.根据权利要求1所述的神经网络智能芯片，其特征在于，所述缓存单元包括SRAM存储阵列；所述存储单元包括：DRAM存储阵列、PCRAM存储阵列、MRAM存储阵列、RRAM存储阵列、SRAM存储阵列、NOR存储阵列、NAND存储阵列以及FRAM存储阵列中的任意一种或几种存储阵列。

8.一种神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，包括：

形成计算模块，所述计算模块包括若干逻辑单元和若干缓存单元，所述逻辑单元和所述缓存单元一一对应连接，所述逻辑单元用于对对应的所述缓存单元进行读/写数据操作；

形成存储模块，包括若干存储单元；

将至少一个所述存储单元与至少一个所述缓存单元对应连接。

9.根据权利要求8所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，在同一逻辑基底内形成所述若干逻辑单元和所述若干缓存单元；所述形成方法还包括：在所述逻辑基底内形成互连电路，所述逻辑单元和缓存单元之间通过所述的互连电路形成电连接。

10.根据权利要求8所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，在单层存储基底或多层堆叠连接的存储基底内形成所述若干存储单元。

11.根据权利要求9或10所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，将所述存储基底和逻辑基底堆叠连接。

12.根据权利要求11所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，通过键合工艺实现所述存储基底与所述逻辑基底之间的电连接。

13.根据权利要求11所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，在所述存储基底与所述逻辑基底内均形成互连结构，所述存储基底与所述逻辑基底之间通过所述互连结构实现电连接。

14.根据权利要求8所述的神经网络智能芯片的形成方法，其特征在于，所述缓存单元包括SRAM存储阵列；所述存储单元包括：DRAM存储阵列、PCRAM存储阵列、MRAM存储阵列、RRAM存储阵列、SRAM存储阵列、NOR存储阵列、NAND存储阵列以及FRAM存储阵列中的任意一种或几种存储阵列。