[发明专利]一种多孔NiS2纳米片的制备方法及NiS2材料

权利要求书

1.一种多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于所述的材料结构为纳米片状结构，并且纳米片上具有多孔结构，合成方法采用含镍化合物前驱体的方法制备，包括如下步骤：

1)含镍化合物的合成：将1～3g三嵌段共聚物P123(分子量＝5800)、加入到含有酸和醇的混合溶液中，完全溶解后，加入0.01～0.10mol镍盐，搅拌使其全部溶解，将混合溶液加热，溶剂挥发自组装2～6h，冷却、清洗后干燥，将所得产物焙烧得到含镍化合物；

2)硫化处理：取步骤1)中的含镍化合物和硫焙烧，冷却得到NiS₂催化剂材料。

2.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，所用的镍盐为氯化镍、硫酸镍或六水硝酸镍一种或几种。

3.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤1)中，所用的酸为硝酸、浓硝酸、硫酸或盐酸的一种和几种，用量为1～5mL。

4.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤1)中，使用的醇为乙醇、丙醇、异丙醇或正丁醇的一种或几种，用量为10～20mL。

5.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤1)中，将1～3g三嵌段共聚物P123(分子量＝5800)、加入到含有酸和醇的混合溶液中，在室温或30～60℃的条件下完全溶解。

6.根据权利要求1所述的一种多孔NiS₂纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1)中，将混合溶液加热溶剂挥发自组装温度为100～160℃，冷却却到室温后，用乙醇清洗并离心分离后，在空气、真空或者冷冻状态下干燥。

7.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤1)中，干燥后的产物以2～10℃/min速率逐步升温焙烧，焙烧温度为100～300℃。

8.根据权利要求1所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤2)中，将含镍化合物与硫粉置入与外界隔绝的环境中。

9.根据权利要求8所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤2)中，含镍化合物与硫粉被惰性气体包围或为真空。

10.根据权利要求9所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述惰性气体为氮气、氦气、氩气的一种或几种。

11.根据权利要求10所述的一种多孔NiS₂纳米材料的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为持续流动的气体，将150～250mg硫粉与含镍化合物混合，500～3000mg硫粉相较于含镍化合物置于气体流向的上游。

12.根据权利要求11所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，持续流动的惰性气体流速为20～30scc/min。

13.根据权利要求1至12任一项所述的多孔NiS₂纳米片制备方法，其特征在于，步骤2)中，以1～5℃/min的升温速率逐步升温至200～500℃，焙烧时间为1-5h。

14.一种NiS₂纳米材料，其特征在于，所述NiS₂纳米材料为多孔NiS₂纳米片结构。