[发明专利]一种终端结构制造方法在审
| 申请号： | 201910824911.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112447821A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 史波;曾丹;肖婷;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 李雪 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 终端 结构 制造 方法 | ||
1.一种终端结构的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底(40)表面设置场氧化层(30)，所述场氧化层(30)厚度范围为1微米至2微米；
在所述场氧化层(30)表面沉积氧化硅薄膜(20)，所述氧化硅薄膜(20)厚度范围为10纳米至50纳米；
采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层(30)及氧化硅薄膜(20)进行刻蚀，根据所述场氧化层(30)及氧化硅薄膜(20)之间的刻蚀速率差使所述场氧化层(30)形成斜面台阶结构；
在所述斜面结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述场氧化层(30)为采用热氧化工艺生长成的纯质二氧化硅氧化层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用气相沉积工艺生沉积成纯质的所述氧化硅薄膜(20)，以对所述氧化硅薄膜(20)的厚度及密度进行调节。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层(30)及氧化硅薄膜(20)进行刻蚀之前，包括：
在所述氧化硅薄膜(20)表面设置光刻胶层(10)；
在所述光刻胶层(10)设置刻蚀窗口。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层(30)及氧化硅薄膜(20)进行刻蚀之后，包括：
去除光刻胶层(10)；
采用刻蚀工艺去除氧化硅薄膜(20)。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述斜面台阶结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进之后：
在所述场氧化层(30)表面设置钝化膜层(50)。
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