[发明专利]阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置在审
申请号: | 201910822221.X | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN110690225A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 张乐 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/66 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据线 阵列基板 修复线 第一金属层 断点 线段 修复 源漏电极层 衬底基板 中间隔 膜层结构 投影位置 显示装置 依次层叠 隔开 绝缘 修补 占用 延伸 | ||
本揭示提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置,所述阵列基板包括衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层;其中,所述源漏电极层中间隔设有多条数据线,所述第一金属层中间隔设有多条修复线,所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段,所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置,并与所述数据线绝缘隔开,在所述数据线出现断点时,修复子线段与所述断点的两端连接,便于完成对数据线断点的修复,同时将修复线设置于第一金属层,减少修复线所占用阵列基板的空间,简化阵列基板的膜层结构。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置。
背景技术
有源矩阵发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)因其独特的优势,得到快速的发展。AMOLED所搭配的阵列基板,主流为低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)阵列基板,LTPS阵列基板在制作过程中,难于确保所形成的大面积的多晶硅半导体的均一性,具体体现为阈值电压漂移。为解决AMOLED LTPS多晶硅均一性差的问题,AMOLED LTPS阵列基板亚像素驱动电路需采用像素补偿电路,以此抵消阈值电压漂移带来的影响。
现主流像素补偿电路为7T1C设计,为形成此驱动电路,需多晶硅层图形、第一金属层图形、第二金属层图形、源漏电极层图形以及导电层间的绝缘层,此补偿电路正常工作需要扫描信号、电源电压信号、数据信号、发光信号、电源高压信号和电源低压信号。其中扫描信号和发光信号通常为阵列基板行驱动(Gate on Array,GOA)结构的双边驱动,对信号线断路容忍度高,即扫描信号和发光信号单一断点一般不会产生不良。对于数据线,为单边输入信号,且每一根信号线传输信号不相同,数据线不能相互交联。因此,数据线对断线敏感,若存在断点,远离信号输入端必定会产生不良。另外,对于数据线和其他导电层可能存在短路,可以把短路点两端切断,再按照断线方式维修即可,但是对于数据线短路或者断路,均需要额外的修复线辅助维修。
综上所述,现有阵列基板像素补偿电路中的数据线存在断点修复困难的问题。故,有必要提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置,用于解决现有阵列基板像素补偿电路中的数据线存在断点修复困难的问题。
本揭示实施例提供一种阵列基板,包括:衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层;
其中,所述源漏电极层中间隔设有多条数据线,所述第一金属层中间隔设有多条修复线,所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段,所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置,并与所述数据线绝缘隔开。
根据本揭示一实施例,当所述数据线出现断点时,位于所述断点两侧的所述修复子线段与所述断点的两个端部连接。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素电极,每一条所述修复线对应一列所述子像素电极,所述修复子线段位于相邻两个所述子像素电极形成的间隙内。
根据本揭示一实施例,同一条所述修复线上的任意相邻两个所述修复子线段之间间隔至少一个所述子像素电极。
根据本揭示一实施例,位于同一条所述修复线上的所述修复子线段的延伸方向相同。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层设置于所述第一金属层与所述源漏电极层之间,当所述数据线出现断点时,所述修复子线段通过贯穿所述层间绝缘层的第一连通孔与所述断点的两个端部连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的