[发明专利]阵列基板、及其数据线断点修补方法和显示装置在审
申请号: | 201910822221.X | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN110690225A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 张乐 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/66 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据线 阵列基板 修复线 第一金属层 断点 线段 修复 源漏电极层 衬底基板 中间隔 膜层结构 投影位置 显示装置 依次层叠 隔开 绝缘 修补 占用 延伸 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板、依次层叠设置于所述衬底基板上的第一金属层和源漏电极层;
其中,所述源漏电极层中间隔设有多条数据线,所述第一金属层中间隔设有多条修复线,所述修复线上间隔设有至少两个修复子线段,所述修复子线段从所述修复线延伸至所述数据线沿所述阵列基板厚度方向在所述第一金属层上的投影位置,并与所述数据线绝缘隔开。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述数据线出现断点时,位于所述断点两侧的所述修复子线段与所述断点的两个端部连接。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素电极,每一条所述修复线对应一列所述子像素电极,所述修复子线段位于相邻两个所述子像素电极形成的间隙内。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,同一条所述修复线上的任意相邻两个所述修复子线段之间间隔至少一个所述子像素电极。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,位于同一条所述修复线上的所述修复子线段的延伸方向相同。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层设置于所述第一金属层与所述源漏电极层之间,当所述数据线出现断点时,所述修复子线段通过贯穿所述层间绝缘层的第一连通孔与所述断点的两个端部连接。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二金属层,所述第二金属层中间隔设置有多条扫描线,所述扫描线与所述数据线交叉设置。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多晶硅层,所述多晶硅层位于所述第二金属层与所述衬底基板之间,所述第一金属层与所述多晶硅层的交叠区域设置有第二连通孔,所述数据线通过所述第二连通孔与所述多晶硅层相连接。
9.一种阵列基板的数据线断点修补方法,其特征在于,应用于权利要求1至8中任一项所述的阵列基板,所述修补方法包括:
查找数据线断点的位置;
将所述修复线上位于所述断点两端的所述修复子线段分别与所述断点的两个端部相连接,使得所述数据线处于导通状态。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的