[发明专利]一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法在审
| 申请号： | 201910818536.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447507A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 唐云;罗海辉;谭灿健;罗湘;杜龙欢;刘少杰;刘斌;易彬 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 击穿 特性 goi 测试 样片 制造 方法 | ||
1.一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在衬底硅片上沉积初始氧化层作为硬掩膜层；
S2：光刻定义出沟槽的图案，根据所述图案在所述硬掩膜层上刻蚀，形成具有第一宽度的开口，其中所述第一宽度指的是所述开口在平行于所述硅片的方向上的距离；
S3：通过所述开口在所述硅片上进行刻蚀，形成具有第一深度和第二宽度的沟槽，其中所述第一深度指的是所述沟槽在垂直于所述硅片的方向上的距离，所述第二宽度指的是所述沟槽在平行于所述硅片的方向上的距离；所述第二宽度大于所述第一宽度；
S4：对所述硅片上形成的沟槽进行表面处理；
S5：采用炉管生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积导电介质；
S6：对所述掺杂多晶硅进行刻蚀形成栅极，并在所述硅片的背面进行金属化以形成背面电极。
2.根据权利要求1所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
S41：采用炉管进行H2退火，对所述沟槽的顶角进行圆化处理；
S42：采用炉管生长牺牲氧化层，并通过湿法刻蚀去除所述牺牲氧化层。
3.根据权利要求1或2所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度大0.1um-0.5um。
4.根据权利要求3所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述初始氧化层的厚度大于5000A。
5.根据权利要求2所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述采用炉管进行H2退火的步骤中，退火温度大于95℃，退火气压小于50torr，退火时间在1min--30min之间。
6.根据权利要求2所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为500A-2000A。
7.根据权利要求1所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述栅极的窗口形状包括圆形、方形、多边形；所述栅极的测试窗口面积不小于e-4cm2。
8.根据权利要求7所述的GOI测试样片制造方法，其特征在于，所述栅极的测试窗口面积为2.5e-3～2.5e-1cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
